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HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗(yàn)系統(tǒng) 三回路配電箱溫升試驗(yàn)裝置HNDL 大電流溫升試驗(yàn)設(shè)備 容量大 定制定做
聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059用于箱變,配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開(kāi)關(guān)柜進(jìn)行試驗(yàn)的要求。網(wǎng)絡(luò)覆蓋質(zhì)量嚴(yán)重影響功耗當(dāng)覆蓋較差時(shí),通過(guò)多次重發(fā)提高通信成功率,但會(huì)延長(zhǎng)發(fā)送時(shí)間,從而引起功耗增加,盡量避免長(zhǎng)期在覆蓋等級(jí)2狀態(tài)下時(shí)工作。根據(jù)PSM特性優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)通信協(xié)議當(dāng)覆蓋較差時(shí)會(huì)出現(xiàn)多次重發(fā),如果一直保持連接狀態(tài),如果有多組上下行交互數(shù)據(jù),則相當(dāng)一部分功耗浪費(fèi)在等待,此時(shí)可以進(jìn)入Idle狀態(tài)等待,以降低功耗。遠(yuǎn)程閥控PSMeDRX由于不能實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)喚醒,暫時(shí)不能實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)下行,eDRX的靜態(tài)功耗較高,PSM頻繁重連耗電也較高;必須由終端觸發(fā)上行后才能間接實(shí)現(xiàn)下行,充值時(shí)要求用戶按下按鍵。
1.2 技術(shù)參數(shù)要求
恒流輸出電流:AC范圍 0到額定電流,連續(xù)可調(diào), 且該輸出電流為真有效值(指負(fù)載被試開(kāi)關(guān)柜及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求)
輸出波形:標(biāo)準(zhǔn)正弦波
輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)
輸出電壓:0-6V,且連續(xù)可調(diào)
工作時(shí)間:大電流輸出不少于24小時(shí)
輸出相數(shù):三相 多路
LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞,關(guān)于這個(gè)問(wèn)題,也見(jiàn)到過(guò)有人在行業(yè)論壇發(fā)過(guò)貼討論過(guò)。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的電流來(lái)自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗,簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實(shí)際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變,那么請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。
1.3 恒流源配置列表:(按照客戶具體需求配置)
序號(hào) |
名稱 |
數(shù)量 |
1 |
3回路三相0-100A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
2 |
3回路三相0-400A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
3 |
3回路三相0-630A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
4 |
3回路三相0-800A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
