HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗(yàn)系統(tǒng) 三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn) 

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059用于箱變,配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對開關(guān)柜進(jìn)行試驗(yàn)的要求。在科學(xué)技術(shù)高度發(fā)展的今天，現(xiàn)代精密測量技術(shù)對一個的發(fā)展起著十分重要的作用。如果沒有先進(jìn)的測量技術(shù)與測量手段，就很難設(shè)計(jì)和制造出綜合性能和單相性能均優(yōu)良的產(chǎn)品，更談不發(fā)展現(xiàn)代高新技術(shù)，因此世界各個工業(yè)發(fā)達(dá)都很重視和發(fā)展現(xiàn)代精密測量技術(shù)。精密坐標(biāo)測量精密測量技術(shù)現(xiàn)代精密測量技術(shù)是一門集光學(xué)、電子、傳感器、圖像、制造及計(jì)算機(jī)技術(shù)為一體的綜合叉學(xué)科，涉及廣泛的學(xué)科領(lǐng)域，它的發(fā)展需要多相關(guān)學(xué)科的支持。

1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流：AC范圍 0到額定電流，連續(xù)可調(diào)， 且該輸出電流為真有效值（指負(fù)載被試開關(guān)柜及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件， 可輸出的電流有效值， 電流穩(wěn)定輸出時間應(yīng)滿足工作時間要求）

輸出波形：標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率： 50Hz （+5%， -2%）

輸出電壓：0-6V，且連續(xù)可調(diào)

工作時間：大電流輸出不少于24小時

輸出相數(shù)：三相  多路

OSI意為開放式系統(tǒng)互聯(lián)。標(biāo)準(zhǔn)化組織（ISO）制定了OSI模型，該模型定義了不同計(jì)算機(jī)互聯(lián)的標(biāo)準(zhǔn)，是設(shè)計(jì)和描述計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)通信的基本框架。OSI模型把網(wǎng)絡(luò)通信的工作分為7層，分別是物理層、數(shù)據(jù)鏈路層、網(wǎng)絡(luò)層、傳輸層、會話層、表示層和應(yīng)用層。從OSI的7層網(wǎng)絡(luò)模型的角度來看同，CAN現(xiàn)場總線僅僅定義了第1層（物理層，見ISO11898-2標(biāo)準(zhǔn)）、第2層（數(shù)據(jù)鏈路層，見ISO11898-1標(biāo)準(zhǔn)）；而在實(shí)際設(shè)計(jì)中，這兩層完全由硬件實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員無需再為此開發(fā)相關(guān)軟件（Software）或固件（Firmware），只要了解如何調(diào)用相關(guān)的接口和寄存器，即可完成對CAN的控制。

1.3 恒流源配置列表：（按照客戶具體需求配置）

三回路配電箱溫升試驗(yàn)設(shè)備HNDL 三相大電流試驗(yàn)裝置 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)后發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計(jì)算后，換成了一顆5A的MOS管，問題解決。為什么用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢？工程師在設(shè)計(jì)的過程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設(shè)計(jì)，案例我們放到后說，為了幫助理解，我們先引入一個概念：其中Tc為芯片的外殼溫度，PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結(jié)點(diǎn)溫度，目前大多數(shù)芯片的結(jié)點(diǎn)溫度為150℃，Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻，Rcs表示外殼至散熱片的熱阻，Rsa表示散熱片到空氣的熱阻，一般功率器件用Rjc進(jìn)行計(jì)算即可。