HN8001A三相交直流指示儀表，電測(cè)儀表檢定裝置 多表位交流采樣變送器校驗(yàn)臺(tái) 電壓監(jiān)測(cè)儀校驗(yàn)臺(tái) 高質(zhì)量供應(yīng) 多功能交直流儀表校驗(yàn)臺(tái)

車高平 13608980122/15689901059

輸出交直流電壓、電流、相位和功率均為高精度、高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)源，軟件校準(zhǔn)。各項(xiàng)輸出均采用動(dòng)態(tài)負(fù)載自動(dòng)調(diào)整技術(shù),降低了負(fù)載調(diào)整率。采用高速交流采樣、高速數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）、復(fù)雜可編程邏輯陣列（CPLD）、大功率集成功放、嵌入式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)而成，將系統(tǒng)、測(cè)試和信號(hào)高度集成，體積小，重量輕，可靠性極高，功能性極強(qiáng)。用于檢測(cè)數(shù)字儀表、指示儀表、電能表、互感器、數(shù)字測(cè)控裝置、變送器、交流采樣裝置

一旦收集到數(shù)據(jù)，就可以對(duì)其進(jìn)行并用于未來(lái)的火山爆發(fā)?！笆褂檬殖质綗嵯駜x進(jìn)行測(cè)量有很多優(yōu)勢(shì)，”夏威夷大學(xué)希洛校區(qū)地質(zhì)系主任SteveLundblad表示：“USGS的科學(xué)家在進(jìn)入一些潛在危險(xiǎn)地區(qū)時(shí)，必須對(duì)危險(xiǎn)格外警惕。借助便攜式熱像儀，可以輕松即時(shí)獲得事件發(fā)展和變化的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)。而使用其他方法測(cè)量溫度可能需要額外的時(shí)間來(lái)安裝和回收設(shè)備。”比如熱耦合器，該設(shè)備必須被確實(shí)放置于地面，測(cè)量完成后再拆除回收。
 技術(shù)參數(shù)：

整機(jī)有效精度 0.05級(jí)

交直流電壓輸出

量限：660V、380V、220V、100V、57.735V  

調(diào)節(jié)范圍：(0～120)%RG RG為量限,下同

準(zhǔn)確度：0.05%RG

 交直流電流輸出

量限： 20A、5A、1A、0.2A

調(diào)節(jié)范圍:  (0～120)%RG   RG為量限,下同；

準(zhǔn)確度： 0.05%RG

     多表位交流采樣變送器校驗(yàn)臺(tái) 電壓監(jiān)測(cè)儀校驗(yàn)臺(tái) 高質(zhì)量供應(yīng) 多功能交直流儀表校驗(yàn)臺(tái)地：也叫機(jī)殼地，為防止靜電感應(yīng)和磁場(chǎng)感應(yīng)而設(shè)。以上這些地線處理是系統(tǒng)設(shè)計(jì)、安裝、調(diào)試中的一個(gè)重要問題。下面就接地問題提出一些看法：控制系統(tǒng)宜采用一點(diǎn)接地。一般情況下,高頻電路應(yīng)就近多點(diǎn)接地，低頻電路應(yīng)一點(diǎn)接地。在低頻電路中，布線和元件間的電感并不是什么大問題，然而接地形成的環(huán)路的干擾影響很大，常以一點(diǎn)作為接地點(diǎn);但一點(diǎn)接地不適用于高頻，因?yàn)楦哳l時(shí)，地線上具有電感因而增加了地線阻抗，同時(shí)各地線之間又產(chǎn)生電感耦合。頻率設(shè)置：在源關(guān)閉狀態(tài)可通過(guò)鼠標(biāo)選中液晶屏的頻率編輯框設(shè)置頻率。頻率設(shè)置范圍是40Hz～70Hz，分辨率為0.0001Hz 。超出范圍將會(huì)自動(dòng)按頻率的值或者值輸出頻率值。也可通過(guò)面板按鍵編輯器進(jìn)行頻率設(shè)置：對(duì)交流源的頻率信號(hào)進(jìn)行調(diào)節(jié)。按鍵編輯器顯示為F=××.××××Hz；若交流源處于關(guān)閉狀態(tài)，則打開并輸出交流源，源幅度為量限幅度。光標(biāo)指示當(dāng)前欲調(diào)節(jié)細(xì)度，按【←】鍵可左移光標(biāo)，按【→】鍵可右移光標(biāo)。確定好調(diào)節(jié)細(xì)度后旋轉(zhuǎn)編碼器可對(duì)頻率信號(hào)進(jìn)行升/降調(diào)節(jié)

目前常用的離子化方法（EICP、ESMALDI等）在實(shí)驗(yàn)中（嚴(yán)格來(lái)說(shuō)僅在一定濃度范圍內(nèi)——術(shù)語(yǔ)是動(dòng)態(tài)范圍，dynamicrange）都至少滿足樣品量與產(chǎn)生離子量的正相關(guān)，一般情況下也可以進(jìn)一步近似成線性相關(guān)。傳輸離子時(shí)，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)可以認(rèn)為傳輸效率與被傳輸離子的量無(wú)關(guān)；（嚴(yán)格地說(shuō)，被傳輸?shù)碾x子太多時(shí)，相同電荷的互相排斥會(huì)造成離子束的“體積”變大，導(dǎo)致傳輸效率下降。這種影響在空間有限的離子阱中表現(xiàn)得更加明顯，因此在離子阱質(zhì)譜中一個(gè)重要的技術(shù)就是適當(dāng)控制進(jìn)入儀器的離子數(shù)量，使其既不太少也不太多。

直流標(biāo)準(zhǔn)源參數(shù)操作

當(dāng)用鼠標(biāo)選中標(biāo)準(zhǔn)源視窗中〖交直流〗單選按鈕的〖直流〗選項(xiàng)時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)源視窗將處于直流標(biāo)準(zhǔn)源狀態(tài)。此時(shí)所有交流源參數(shù)將處于變灰無(wú)效狀態(tài)。僅直流源參數(shù)可進(jìn)行操作。

在直流標(biāo)準(zhǔn)源輸出前可以對(duì)直流標(biāo)準(zhǔn)源的量限進(jìn)行設(shè)置；設(shè)置完畢，按下〖源輸出〗按鈕或【F1】鍵，HN8005B將輸出所設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)直流信號(hào)。

對(duì)于直流參數(shù)的設(shè)置與修改可以通過(guò)兩種方式:

方式一：直接使用【百分比鍵】操作。直流源將按當(dāng)前選擇的量限百分比進(jìn)行輸出。若直流源處于關(guān)閉狀態(tài)，則打開并輸出直流源，若直流源已處于輸出狀態(tài)，則直接按量限百分比輸出相應(yīng)幅度。

MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號(hào)。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對(duì)于這兩種增強(qiáng)型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小且容易制造。所以開關(guān)電源和馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中，一般都用NMOS。