HN8001A三相交直流指示儀表，電測儀表檢定裝置 三相交流采樣變送器校驗(yàn)儀臺(tái) 多表位電壓監(jiān)測儀校驗(yàn)臺(tái)HN8000 30年經(jīng)驗(yàn) 三相交直流儀表校驗(yàn)儀

車高平 13608980122/15689901059

輸出交直流電壓、電流、相位和功率均為高精度、高穩(wěn)定度標(biāo)準(zhǔn)源，軟件校準(zhǔn)。各項(xiàng)輸出均采用動(dòng)態(tài)負(fù)載自動(dòng)調(diào)整技術(shù),降低了負(fù)載調(diào)整率。采用高速交流采樣、高速數(shù)字信號(hào)處理器（DSP）、復(fù)雜可編程邏輯陣列（CPLD）、大功率集成功放、嵌入式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)設(shè)計(jì)而成，將系統(tǒng)、測試和信號(hào)高度集成，體積小，重量輕，可靠性極高，功能性極強(qiáng)。用于檢測數(shù)字儀表、指示儀表、電能表、互感器、數(shù)字測控裝置、變送器、交流采樣裝置

Cat卡特，強(qiáng)調(diào)加固型設(shè)計(jì)，靈感源自于使用者需求，在面臨日常生活中遇到艱困環(huán)境時(shí)，給予無懼的安心感。深受運(yùn)動(dòng)愛好者及專業(yè)人士喜愛。為何Cat卡特如此無堅(jiān)不摧？三分鐘速懂專業(yè)科技，打造強(qiáng)固型。集成FLIR熱成像技術(shù)搭載熱成像攝像頭模塊捕捉清晰的熱成像、設(shè)置定時(shí)拍攝鏡頭；通過多點(diǎn)測光可追溯并確定圖像中的溫度；偵測范圍長達(dá)3米；測量溫度范圍攝氏-2℃～12℃?？顾つ芰Τ降燃?jí)卡特全系列產(chǎn)品皆經(jīng)過嚴(yán)格的防摔測試，抗摔高度為1.8米，讓你忘卻因使用失誤造成的損傷。
 技術(shù)參數(shù)：

整機(jī)有效精度 0.05級(jí)

交直流電壓輸出

量限：660V、380V、220V、100V、57.735V  

調(diào)節(jié)范圍：(0～120)%RG RG為量限,下同

準(zhǔn)確度：0.05%RG

 交直流電流輸出

量限： 20A、5A、1A、0.2A

調(diào)節(jié)范圍:  (0～120)%RG   RG為量限,下同；

準(zhǔn)確度： 0.05%RG

     三相交流采樣變送器校驗(yàn)儀臺(tái) 多表位電壓監(jiān)測儀校驗(yàn)臺(tái)HN8000 30年經(jīng)驗(yàn) 三相交直流儀表校驗(yàn)儀低功耗、高速度、高集成度的LSI電路是成多電子產(chǎn)品的要考慮，這也就導(dǎo)致裝置比以往任何時(shí)候更容易受到電磁干擾的威脅。此外，大功率家電及辦公自動(dòng)化設(shè)備的增多，以及移動(dòng)通信、無線網(wǎng)絡(luò)的廣泛應(yīng)用等，又大大增加了電磁擾源。這些變化迫使人們把電磁兼容作為重要的技術(shù)問題加以關(guān)注。電磁兼容采用一定的技術(shù)手段，使同一電磁環(huán)境中的電子、電氣設(shè)備都能正常工作，并且不干擾其他設(shè)備的正常工作，這就是電磁兼容（ElectromagneticCompatibility，縮寫為EMC)。頻率設(shè)置：在源關(guān)閉狀態(tài)可通過鼠標(biāo)選中液晶屏的頻率編輯框設(shè)置頻率。頻率設(shè)置范圍是40Hz～70Hz，分辨率為0.0001Hz 。超出范圍將會(huì)自動(dòng)按頻率的值或者值輸出頻率值。也可通過面板按鍵編輯器進(jìn)行頻率設(shè)置：對(duì)交流源的頻率信號(hào)進(jìn)行調(diào)節(jié)。按鍵編輯器顯示為F=××.××××Hz；若交流源處于關(guān)閉狀態(tài)，則打開并輸出交流源，源幅度為量限幅度。光標(biāo)指示當(dāng)前欲調(diào)節(jié)細(xì)度，按【←】鍵可左移光標(biāo)，按【→】鍵可右移光標(biāo)。確定好調(diào)節(jié)細(xì)度后旋轉(zhuǎn)編碼器可對(duì)頻率信號(hào)進(jìn)行升/降調(diào)節(jié)

巴特沃斯濾波器拓?fù)淝斜妊┓驗(yàn)V波器拓?fù)鋱D分別對(duì)應(yīng)他們的端口阻抗與駐波比。巴特沃斯濾波器的SmitVSWR及S21切比雪夫?yàn)V波器的SmitVSWR及S21這里可以清楚的看到在圓環(huán)中，兩種濾波器不同頻率下的阻抗并不相同，巴特沃斯濾波器伴隨著頻率的增加，阻抗偏離匹配點(diǎn)；而切比雪夫?yàn)V波器因?yàn)橛兄C振電路引起阻抗的突變的，所以阻抗會(huì)圍繞在匹配點(diǎn)附近小范圍變化，這就導(dǎo)致切比雪夫?yàn)V波器的可用頻段比巴特沃斯濾波器更多。

直流標(biāo)準(zhǔn)源參數(shù)操作

當(dāng)用鼠標(biāo)選中標(biāo)準(zhǔn)源視窗中〖交直流〗單選按鈕的〖直流〗選項(xiàng)時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)源視窗將處于直流標(biāo)準(zhǔn)源狀態(tài)。此時(shí)所有交流源參數(shù)將處于變灰無效狀態(tài)。僅直流源參數(shù)可進(jìn)行操作。

在直流標(biāo)準(zhǔn)源輸出前可以對(duì)直流標(biāo)準(zhǔn)源的量限進(jìn)行設(shè)置；設(shè)置完畢，按下〖源輸出〗按鈕或【F1】鍵，HN8005B將輸出所設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)直流信號(hào)。

對(duì)于直流參數(shù)的設(shè)置與修改可以通過兩種方式:

方式一：直接使用【百分比鍵】操作。直流源將按當(dāng)前選擇的量限百分比進(jìn)行輸出。若直流源處于關(guān)閉狀態(tài)，則打開并輸出直流源，若直流源已處于輸出狀態(tài)，則直接按量限百分比輸出相應(yīng)幅度。

另外，晶體管也可能產(chǎn)生相似的爆裂噪聲和閃爍噪聲，其產(chǎn)生機(jī)理與電阻中微粒的不連續(xù)性相近，也與晶體管的摻雜程度有關(guān)。半導(dǎo)體器件產(chǎn)生的散粒噪聲由于半導(dǎo)體PN結(jié)兩端勢壘區(qū)電壓的變化引起累積在此區(qū)域的電荷數(shù)量改變，從而顯現(xiàn)出電容效應(yīng)。當(dāng)外加正向電壓升高時(shí)，N區(qū)的電子和P區(qū)的空穴向耗盡區(qū)運(yùn)動(dòng)，相當(dāng)于對(duì)電容充電。當(dāng)正向電壓減小時(shí)，它又使電子和空穴遠(yuǎn)離耗盡區(qū)，相當(dāng)于電容放電。當(dāng)外加反向電壓時(shí)，耗盡區(qū)的變化相反。當(dāng)電流流經(jīng)勢壘區(qū)時(shí)，這種變化會(huì)引起流過勢壘區(qū)的電生微小波動(dòng)，從而產(chǎn)生電流噪聲。