HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
雷電沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 電子式多倍頻發(fā)生器定制定做產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用范圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊，雷電截?cái)嗖?，操作沖擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)沖擊波的各類沖擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來(lái)的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備制造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗(yàn)。其中，n為大于1的自然數(shù)，an代表第n個(gè)補(bǔ)償周期獲取的補(bǔ)償參數(shù)，mn-1代表第n-1個(gè)補(bǔ)償周期存儲(chǔ)的補(bǔ)償余數(shù)，nn代表RTC模塊的補(bǔ)償單位，b代表RTC模塊的補(bǔ)償單位的整數(shù)倍，mn代表第n個(gè)補(bǔ)償周期的補(bǔ)償余數(shù)。在第n個(gè)補(bǔ)償周期中，所述根據(jù)所述補(bǔ)償校準(zhǔn)值和所述補(bǔ)償余數(shù)對(duì)RTC模塊的時(shí)鐘頻率進(jìn)行校準(zhǔn)，具體包括：按照所述第n個(gè)補(bǔ)償周期的補(bǔ)償校準(zhǔn)值對(duì)所述RTC模塊的時(shí)鐘頻率進(jìn)行校準(zhǔn)，并存儲(chǔ)所述第n個(gè)補(bǔ)償周期的補(bǔ)償余數(shù)。

產(chǎn)品別稱：沖擊電壓發(fā)生器，雷電沖擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置，雷電沖擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

x10檔結(jié)構(gòu)模型此時(shí)示波器輸入信號(hào)衰減為被測(cè)入信號(hào)的1/10。對(duì)于較高頻率的輸入信號(hào),容抗對(duì)于信號(hào)的影響會(huì)大于阻抗。，在x10檔時(shí)，輸入阻抗為10MΩ，輸入電容10pF，輸入信號(hào)的頻率為100MHz，此時(shí)，輸入容抗為Xc(Cp)=1/（2×π×f×C）=159Ω，此時(shí)容抗遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于阻抗，信號(hào)電流更多的會(huì)通過(guò)輸入電容提供的低阻回路，而高阻回路等效為旁路。作為測(cè)試的環(huán)節(jié)，能否將信號(hào)高保真的傳輸至示波器是能否準(zhǔn)確測(cè)試的重點(diǎn)，所以，在測(cè)試較高頻率信號(hào)時(shí)，需注意的帶寬和輸入電容是否合適，下表為ZDS2000系列示波器標(biāo)配參數(shù)。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，并采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)沖擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用系數(shù)高，雷電波和操作波分別不低于85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡(jiǎn)單，同步性能好，動(dòng)作可靠。與其他靈敏的SMU相比，4201-SMU和4211-SMU的電容指標(biāo)已經(jīng)提高，這些SMU模塊用于可配置的Model4200A-SCS參數(shù)儀，使用Clarius+軟件進(jìn)行交互控制。本文探討了4201-SMU和4211-SMU可以進(jìn)行穩(wěn)定的弱電流測(cè)量的多種應(yīng)用實(shí)例，包括測(cè)試：平板顯示器上的OLED像素器件、長(zhǎng)電纜MOSFET傳遞特點(diǎn)、通過(guò)開(kāi)關(guān)矩陣連接的FET、卡盤上的納米FETI-V測(cè)量、電容器泄漏測(cè)量。雷電沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 電子式多倍頻發(fā)生器定制定做

4、采用恒流充電自動(dòng)控制技術(shù)，自動(dòng)化程度高，抗干擾能力強(qiáng)。