HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
雷電沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用范圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊，雷電截?cái)嗖?，操作沖擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)沖擊波的各類沖擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來(lái)的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備制造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗(yàn)。相比APD，MPPC的增益可達(dá)到1^5~1^6，這樣在理論上，可以在更短的時(shí)間內(nèi)得到更長(zhǎng)的距離信息，探測(cè)帶寬也與APD不相上下。另外，擁有小而有效面積、更多像素結(jié)構(gòu)的MPPC不僅具備較快的時(shí)間特性（上升時(shí)間僅1納秒左右），還可利用它特的光子分辨能力，將不同表面反射率的物體識(shí)別出來(lái)，從而達(dá)到測(cè)距同時(shí)分辨物體表面特性的目的。從這些性能上來(lái)看，MPPC非常適合脈沖測(cè)距法的應(yīng)用，是自動(dòng)駕駛上一維激光雷達(dá)的理想“小伙伴”。

產(chǎn)品別稱：沖擊電壓發(fā)生器，雷電沖擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置，雷電沖擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

EMC設(shè)計(jì)系統(tǒng)主站和從站電路板的設(shè)計(jì)對(duì)系統(tǒng)的EMC至關(guān)重要,而一個(gè)電路板的電磁輻射能力和接收能力往往是一致的。在提高電路板抗干擾能力的同時(shí)，也了電路板的電磁輻射。PCB板的EMC設(shè)計(jì)主要因素有以下幾點(diǎn)：元器件選擇和布局選擇EMC性能好的元器件，并盡量選擇表面貼裝的封裝形式。器件合理布局，把相互有關(guān)的器件盡量放得靠近些，使各部件之間的引線盡量短。特別是微控制器和CAN控制器的時(shí)鐘源晶體一定按規(guī)定放置，否則會(huì)不起振。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，并采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)沖擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用系數(shù)高，雷電波和操作波分別不低于85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡(jiǎn)單，同步性能好，動(dòng)作可靠。系統(tǒng)基于全制式全覆蓋的測(cè)試能力可解決物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)鏈的測(cè)試難題，具體包括芯片模組測(cè)試、綜合測(cè)試、產(chǎn)線測(cè)試等多個(gè)環(huán)節(jié)。典型測(cè)試場(chǎng)景如下：發(fā)射機(jī)指標(biāo)測(cè)試：UE發(fā)射功率UE指的是NB-IOT的終端產(chǎn)品，包括NB-IOT模塊以及使用了這些模塊的終端。UE占用帶寬，占用帶寬指的是分配信道之內(nèi)測(cè)量的99%積分平均功率時(shí)對(duì)應(yīng)的信號(hào)帶寬。NB-IOT下行信號(hào)占用帶寬典型測(cè)試UE發(fā)射ACLR相鄰信道泄漏比，這個(gè)測(cè)來(lái)判定終端產(chǎn)品是否有可能對(duì)相鄰(或高或低)信道中的接收機(jī)產(chǎn)生干擾。雷電沖擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ系列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途

4、采用恒流充電自動(dòng)控制技術(shù)，自動(dòng)化程度高，抗干擾能力強(qiáng)。