HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
沖擊耐壓試驗裝置 HNCJ系列 超低頻耐壓測試儀定制定做產(chǎn)品簡介：

沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設備等試品進行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗中。

適用范圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標準雷電沖擊，雷電截斷波，操作沖擊及用戶要求的非標準沖擊波的各類沖擊電壓試驗。一套設備就可產(chǎn)生多種試驗波形（標準的和非標準的波形，用戶提出來的波形）。 適用領域：質(zhì)檢鑒定計量檢測監(jiān)督機構，電力設備制造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗。光纖通信是用光纖作為傳輸介質(zhì)，以光波作為載波來實現(xiàn)信息傳輸，從而達到通信目的的一種新通信技術。與傳統(tǒng)的電氣通信相比，光纖傳感技術具有精度和靈敏度高、抗電磁干擾、壽命長、耐腐蝕、成本低、光纖傳輸損耗極低，傳輸距離遠等突出優(yōu)點。雖然光纖通信具有以上突出的優(yōu)點，但本身存在的缺陷也不容忽視，比如：光纖的質(zhì)地脆，容易斷裂、機械強度差，彎曲不能過小;供電困難;分路、耦合不靈活；光纖的切斷和連接需要特定的工具或設備等。

產(chǎn)品別稱：沖擊電壓發(fā)生器，雷電沖擊電壓發(fā)生器試驗裝置，雷電沖擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗裝置

MOS管種類和結構MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號。至于為什么不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。對于這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小且容易制造。所以開關電源和馬達驅(qū)動的應用中，一般都用NMOS。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，并采取帶阻濾波措施，在大電容量負載下能產(chǎn)生標準沖擊波，負載能力大。

2、電壓利用系數(shù)高，雷電波和操作波分別不低于85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡單，同步性能好，動作可靠。在這里，我們主要討論模式模式四充電樁內(nèi)的剩余電流保護器的選用。在GB/T18487.1-2015中要求，交流供電設備的剩余電流保護器宜采用A型或B型，符合GB14084.2-2008，GB16916.1-2014和GB22794-2008的相關要求。如所示為充電模式3控制導引電路原理圖，在供電設備內(nèi)部安裝了剩余電流保護器。圖1充電模式3控制導引電路原理圖什么是A型或者B型剩余電流保護器？我國的剩余電流保護裝置（RCD）指導性標準GB/Z6829-2008（IEC/TR60755:2008,MOD）《剩余電流動作保護器的一般要求》從產(chǎn)品的基本結構、剩余電流類型、脫扣方式等方面作了劃分。沖擊耐壓試驗裝置 HNCJ系列 超低頻耐壓測試儀定制定做

4、采用恒流充電自動控制技術，自動化程度高，抗干擾能力強。