HN11C高壓開關(guān)綜合測(cè)試儀三通道回路電阻測(cè)試儀 HN11C系列 安秒特性測(cè)試儀 用心品質(zhì)
一、功能特點(diǎn) 

測(cè)試指標(biāo)：可測(cè)試國產(chǎn)（進(jìn)口）真空、六氟化硫、油高壓斷路器，負(fù)荷開關(guān)、GIS接地刀閘開關(guān)、接觸器、繼電器、空氣開關(guān)等。合、分閘時(shí)間、同期、彈跳時(shí)間、次數(shù)、自動(dòng)重合閘、行程、速度、電流、動(dòng)作電壓等各項(xiàng)數(shù)據(jù)、波形。

抗擾通道：可抵御550KV變電所現(xiàn)場(chǎng)靜電干擾！再簡(jiǎn)單一點(diǎn)，就是考慮更好的散熱吧。功率管發(fā)熱功率管的功耗分成兩部分，開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗。要注意，大多數(shù)場(chǎng)合特別是LED市電驅(qū)動(dòng)應(yīng)用，開關(guān)損害要遠(yuǎn)大于導(dǎo)通損耗。開關(guān)損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅(qū)動(dòng)能力和工作頻率有關(guān)，所以要解決功率管的發(fā)熱可以從以下幾個(gè)方面解決：不能片面根據(jù)導(dǎo)通電阻大小來選擇MOS功率管，因?yàn)閮?nèi)阻越小，cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右，2N60的cgs為350pF左右，5N60的cgs為1200pF左右，差別太大了，選擇功率管時(shí)，夠用就可以了。

位移通道：1路位移信號(hào)采集，適配耐用的精密電阻線性位移、角位移傳感器。亦可適配用戶傳統(tǒng)自配的滑線電阻傳感器。

同步觸發(fā)：可響應(yīng)電壓、電流、傳感器、斷口變化多種同步觸發(fā)方式。具有無電位接點(diǎn)操作控制模塊，無彈跳接點(diǎn)，接點(diǎn)開斷容量： 30A，250V（AC/DC）

操作界面：5.7″黑白液晶屏，菜單式操作，并在面板上增加了快捷設(shè)置按鍵。配備高精度激光傳感器，傳感器安裝迅速、快捷、簡(jiǎn)單；同時(shí)也可配置滑線電阻傳感器和角度傳感器；并配備齊全相關(guān)傳感器、斷路器的測(cè)試支架；在一些情況中，會(huì)出現(xiàn)抽點(diǎn)的間隔很大，使得實(shí)際用于的采樣率不足，這時(shí)系統(tǒng)會(huì)給出提示。非提示如所示，提示出現(xiàn)在屏幕左上方，從事件表可以看到，波形中間出現(xiàn)了部分錯(cuò)誤的幀，這種錯(cuò)誤是采樣率不足導(dǎo)致的。需要注意的時(shí)，出現(xiàn)這種提示時(shí)，不一定就會(huì)出錯(cuò)，它是一種警告。而當(dāng)我們真的不能正常時(shí)，只需要按照系統(tǒng)提示的內(nèi)容進(jìn)行操作(如圖應(yīng)該減少時(shí)基)，就能回歸狀態(tài)。這也是點(diǎn)中描述的全內(nèi)存約束。

速度定義：提供了常用的開關(guān)速度定義庫和可編輯速度定義庫兩種模式可供用戶自行選擇。

錄波功能：12路普通金屬觸頭通斷、線圈電流；行程、時(shí)間波形。具有斷路器型號(hào)庫功能，測(cè)試時(shí)可直接調(diào)用數(shù)據(jù)庫斷路器型號(hào)，無需特別設(shè)置

U盤存儲(chǔ)：可將數(shù)據(jù)及波形文件快速存儲(chǔ)到U盤，直接用上位機(jī)軟件打開。

在線幫助：儀器內(nèi)置豐富的接線、安裝、測(cè)試操作幫助。無說明書就能簡(jiǎn)單使用。測(cè)試采用TOS2000B系列示波器外觀如下圖：測(cè)試步驟如下：1.電壓衰減設(shè)置→2.采集通道調(diào)試→3.觸發(fā)控制→4.光標(biāo)測(cè)量讀數(shù)設(shè)置1.電壓衰減設(shè)置電壓有不同的衰減系數(shù)，這些系數(shù)影響信號(hào)的垂直刻度。檢查向?qū)?yàn)證示波器的衰減系數(shù)是否與匹配。作為檢查的替代方法，您可以手動(dòng)選擇與衰減相匹配的系數(shù)。，要與連接到CH1的設(shè)置為10X的相匹配，請(qǐng)按下通道1“Menu（菜單）”“”“電壓”“衰減”選項(xiàng)，然后選擇10X。