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HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗(yàn)系統(tǒng) JP柜溫升試驗(yàn)裝置HNDL 三相大電流發(fā)生器 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)
聯(lián)系人車(chē)高平13608980122/15689901059用于箱變,配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開(kāi)關(guān)柜進(jìn)行試驗(yàn)的要求。CSP(ChipScalePACkage):芯片級(jí)封裝,該方式相比BGA同等空間下可以將存儲(chǔ)容量提升三倍,是由日本三菱公司提出來(lái)的。DIP(DualIn-linePACkage):雙列直插式封裝,插裝型封裝之一,指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片,體積比較大。MCM(MultiChipModel):多芯片模塊封裝,可根據(jù)基板材料分為MCM-L,MCM-C和MCM-D三大類(lèi)。QFP(QuadFlatPackage):四側(cè)引腳扁平封裝,表面貼裝型封裝之一,引腳通常在100以上,適合高頻應(yīng)用,基材方面有陶瓷、金屬和塑料三種。
1.2 技術(shù)參數(shù)要求
恒流輸出電流:AC范圍 0到額定電流,連續(xù)可調(diào), 且該輸出電流為真有效值(指負(fù)載被試開(kāi)關(guān)柜及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求)
輸出波形:標(biāo)準(zhǔn)正弦波
輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)
輸出電壓:0-6V,且連續(xù)可調(diào)
工作時(shí)間:大電流輸出不少于24小時(shí)
輸出相數(shù):三相 多路
磁耦器件可提供5000Vrms/min及6000V/10sec的電壓隔離保護(hù),多種型號(hào)的磁耦帶有±15KV的ESD保護(hù)。長(zhǎng)壽命。采用芯片級(jí)變壓器技術(shù)傳輸信號(hào),消除光耦傳輸時(shí)的器件損耗。器件內(nèi)部基本不存在損耗,正常工作條件下至少達(dá)到50年工作壽命。低功耗。磁耦基于芯片級(jí)變壓器傳輸原理,信號(hào)傳輸時(shí)幾乎不存在能量損耗,因此能以極低的功耗實(shí)現(xiàn)高度的數(shù)據(jù)隔離。相同速率下,其功耗僅為光耦的1/10~1/6。電源隔離信號(hào)通道做隔離后,建議電源通道也做隔離,可直接采用帶隔離的DC-DC隔離模塊實(shí)現(xiàn),如下圖所示。
1.3 恒流源配置列表:(按照客戶具體需求配置)
序號(hào) |
名稱(chēng) |
數(shù)量 |
1 |
3回路三相0-100A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
2 |
3回路三相0-400A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
3 |
3回路三相0-630A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
4 |
3回路三相0-800A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
