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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:三回路配電箱溫升試驗裝置HNDL 大電流溫升試驗設(shè)備 容量大 定制定做

  • 產(chǎn)品型號:HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
適用于JP柜,配電箱溫升試驗,電力系統(tǒng)技術(shù)人員檢驗電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗。也可用于開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗及溫升試驗。三回路配電箱溫升試驗裝置HNDL 大電流溫升試驗設(shè)備 容量大 定制定做
詳情介紹:

HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗系統(tǒng) 三回路配電箱溫升試驗裝置HNDL 大電流溫升試驗設(shè)備 容量大 定制定做 

三回路配電箱溫升試驗裝置HNDL 大電流溫升試驗設(shè)備 容量大 定制定做
聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059用于箱變
,
配電箱額定電流溫升試驗。溫升試驗裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗標(biāo)準(zhǔn)對開關(guān)柜進(jìn)行試驗的要求。網(wǎng)絡(luò)覆蓋質(zhì)量嚴(yán)重影響功耗當(dāng)覆蓋較差時,通過多次重發(fā)提高通信成功率,但會延長發(fā)送時間,從而引起功耗增加,盡量避免長期在覆蓋等級2狀態(tài)下時工作。根據(jù)PSM特性優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)通信協(xié)議當(dāng)覆蓋較差時會出現(xiàn)多次重發(fā),如果一直保持連接狀態(tài),如果有多組上下行交互數(shù)據(jù),則相當(dāng)一部分功耗浪費(fèi)在等待,此時可以進(jìn)入Idle狀態(tài)等待,以降低功耗。遠(yuǎn)程閥控PSMeDRX由于不能實現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)喚醒,暫時不能實現(xiàn)實時下行,eDRX的靜態(tài)功耗較高,PSM頻繁重連耗電也較高;必須由終端觸發(fā)上行后才能間接實現(xiàn)下行,充值時要求用戶按下按鍵。

三回路配電箱溫升試驗裝置HNDL 大電流溫升試驗設(shè)備 容量大 定制定做1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流:AC范圍 0到額定電流,連續(xù)可調(diào), 且該輸出電流為真有效值(指負(fù)載被試開關(guān)柜及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩(wěn)定輸出時間應(yīng)滿足工作時間要求)

輸出波形:標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)

輸出電壓:0-6V,且連續(xù)可調(diào)

工作時間:大電流輸出不少于24小時

輸出相數(shù):三相  多路

LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會導(dǎo)致燒壞,關(guān)于這個問題,也見到過有人在行業(yè)論壇發(fā)過貼討論過。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的電流來自于驅(qū)動功率MOS管的消耗,簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導(dǎo)通時的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變,那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。三回路配電箱溫升試驗裝置HNDL 大電流溫升試驗設(shè)備 容量大 定制定做


1.3 恒流源配置列表:(按照客戶具體需求配置)

序號

名稱

數(shù)量

1

3回路三相0-100A電流調(diào)節(jié)器

1

2

3回路三相0-400A電流調(diào)節(jié)器

1

3

3回路三相0-630A電流調(diào)節(jié)器

1

4

3回路三相0-800A電流調(diào)節(jié)器

1

三回路配電箱溫升試驗裝置HNDL 大電流溫升試驗設(shè)備 容量大 定制定做對一些重要的試驗和測試,試驗前也要進(jìn)行性能指標(biāo)的復(fù)測,做到心中有數(shù)。衡量傳感器基本性能的主要指標(biāo)分為靜態(tài)相應(yīng)特性、動態(tài)相應(yīng)特性及環(huán)境特性。靜態(tài)相應(yīng)特性包括:靈敏度、重復(fù)性、非線性、遲滯、分辨率、穩(wěn)定性。動態(tài)相應(yīng)特性包括幅頻特性、相頻特性、固有頻率、阻尼比、時間常數(shù)、上升時間。環(huán)境特性包括:溫度相應(yīng)、聲靈敏度、磁場靈敏度、橫向靈敏度、基礎(chǔ)應(yīng)變靈敏度。對不同類型的傳感器,上述各項技術(shù)指標(biāo)的重要程度視傳感器的不同或使用者的要求不同而有很大的差異,因而很難籠統(tǒng)地說那個指標(biāo)重要。三回路配電箱溫升試驗裝置HNDL 大電流溫升試驗設(shè)備 容量大 定制定做


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