HNDL800 JP柜 配電箱溫升試驗(yàn)系統(tǒng) JP柜溫升大電流發(fā)生器HNDL 直流開(kāi)關(guān)試驗(yàn)電源 容量大 30年經(jīng)驗(yàn) 

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059用于箱變,配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開(kāi)關(guān)柜進(jìn)行試驗(yàn)的要求。封測(cè)是封裝和測(cè)試制程的合稱，其中封裝是為保護(hù)芯片不受環(huán)境因素的影響，而將晶圓代工廠商制造好的集成電路裝配為芯片的過(guò)程，具有連接芯片內(nèi)部和外部電路溝通的作用;測(cè)試環(huán)節(jié)的目的是檢查出芯片。作為半導(dǎo)體核心產(chǎn)業(yè)鏈上重要的一環(huán)，封測(cè)雖在摩爾定律驅(qū)動(dòng)行業(yè)發(fā)展的時(shí)代地位上不及設(shè)計(jì)和制造，但隨著“超越摩爾時(shí)代”概念的提出和到來(lái)，先進(jìn)封裝成為了延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵，在產(chǎn)業(yè)鏈上的重要性日漸提升。既然先進(jìn)封裝將成為行業(yè)未來(lái)發(fā)展的關(guān)鍵推動(dòng)力之一，那么我們就有必要對(duì)封裝產(chǎn)業(yè)尤其是國(guó)內(nèi)的封裝產(chǎn)業(yè)進(jìn)行一個(gè)大致的了解，以便窺探產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。

1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流：AC范圍 0到額定電流，連續(xù)可調(diào)， 且該輸出電流為真有效值（指負(fù)載被試開(kāi)關(guān)柜及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件， 可輸出的電流有效值， 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求）

輸出波形：標(biāo)準(zhǔn)正弦波

輸出頻率： 50Hz （+5%， -2%）

輸出電壓：0-6V，且連續(xù)可調(diào)

工作時(shí)間：大電流輸出不少于24小時(shí)

輸出相數(shù)：三相  多路

因?yàn)橹挥徐`敏度高時(shí)，與被測(cè)量變化對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)的值才比較大，有利于信號(hào)處理。但要注意的是，傳感器的靈敏度高，與被測(cè)量無(wú)關(guān)的外界噪聲也容易混入，也會(huì)被放大系統(tǒng)放大，影響測(cè)量精度。要求傳感器本身應(yīng)具有較高的信噪比，盡員減少?gòu)耐饨缫氲膹S擾信號(hào)。傳感器的靈敏度是有方向性的。當(dāng)被測(cè)量是單向量，而且對(duì)其方向性要求較高，則應(yīng)選擇其它方向靈敏度小的傳感器；如果被測(cè)量是向量，則要求傳感器的交叉靈敏度越小越好。

1.3 恒流源配置列表：（按照客戶具體需求配置）

JP柜溫升大電流發(fā)生器HNDL 直流開(kāi)關(guān)試驗(yàn)電源 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)光標(biāo)測(cè)量由于是人為手動(dòng)測(cè)量，所以會(huì)引入一定的人為誤差。但是相對(duì)于噪聲大的信號(hào)來(lái)說(shuō)，光標(biāo)測(cè)量可以人為的去忽略掉這部分噪聲，更能把握波形重點(diǎn)。自動(dòng)測(cè)量，當(dāng)示波器正確捕獲波形后，示波器可以對(duì)波形參數(shù)進(jìn)行自動(dòng)測(cè)量。自動(dòng)測(cè)量需要參考點(diǎn)，一般稱為Vtop（頂部值）和Vbase（底部值），參考點(diǎn)的測(cè)量采用幅度統(tǒng)計(jì)方法。示波器的工作過(guò)程是對(duì)捕獲波形進(jìn)行的幅度，先確定值Max和值Min，然后對(duì)電壓上的40%和電壓下的40%進(jìn)行，然后進(jìn)行累積概率統(tǒng)計(jì)，出現(xiàn)概率的值為Vtop和Vbase。