HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
廠家供應(yīng) 雷沖擊電壓發(fā)生器 電纜耐壓試驗(yàn)裝置 三倍頻發(fā)生器產(chǎn)品簡介：

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

現(xiàn)在，身邊有不少朋友們立志要運(yùn)動(dòng)，有的人為了每天搶占微信計(jì)步數(shù)排行榜名，無所不用其極。上廁所帶，下樓倒垃圾帶，甚至于從臥室到廚房的幾米距離也要帶計(jì)步。那么，究竟是如何記錄下我們每天行走的步數(shù)的呢？這就要從硬件說起了。在過去，很多計(jì)步軟件都是通過簡單的重力感應(yīng)計(jì)算步數(shù)的，也就是每震動(dòng)一次，就算走了一步，因此不少網(wǎng)友通過搖晃的方式增加運(yùn)動(dòng)步數(shù)。隨著計(jì)步軟件算法的提升以及內(nèi)置傳感器的增加，這種投機(jī)取巧的方法已經(jīng)行不通了。

沖擊測試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

外部干擾——電子設(shè)備或系統(tǒng)以外的因素對線路、設(shè)備或系統(tǒng)的影響。外部高電壓、電源通過絕緣漏電而干擾電子線路、設(shè)備或系統(tǒng)。外部大功率的設(shè)備在空間產(chǎn)生很強(qiáng)的磁場，通過互感耦合干擾電子線路、設(shè)備或系統(tǒng)?？臻g電磁對電子線路或系統(tǒng)產(chǎn)生的干擾。工作環(huán)境溫度不穩(wěn)定，引起電子線路、設(shè)備或系統(tǒng)內(nèi)部元器件參數(shù)改變造成的干擾。電磁干擾的傳播途徑1.當(dāng)干擾源頻率較高，且干擾信號波長比擾對象結(jié)構(gòu)尺寸小，則干擾信號可認(rèn)為是輻射場，以平面電磁波形式向外輻射電磁場能量，并進(jìn)入擾對象的通路。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號可以立延時(shí)

根據(jù)設(shè)計(jì)的不同，在任何地方測量的電壓從幾μV到幾百個(gè)μV不等，尤其是在多個(gè)電阻需要被設(shè)計(jì)的時(shí)候。通過DMM測量電阻時(shí)，DMM的工作原理是向電阻注入一定的電流，然后測量它的電壓降。因?yàn)殡娏魇且阎模钥梢杂?jì)算出電阻值。然后，如果存在熱電動(dòng)勢，它的測量電壓將會(huì)被改變，導(dǎo)致電阻測量中的誤差。舉例：一個(gè)10Ω的電阻通過一個(gè)1mA的電流源進(jìn)行測試，通常情況下將會(huì)產(chǎn)生10mV的電壓。如果電阻仿真模塊產(chǎn)生一個(gè)100μV的熱電動(dòng)勢，那么測量誤差為1%。