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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:帶通訊 沖擊電壓試驗裝置 工頻試驗變壓器 CVT交流耐壓裝置

  • 產(chǎn)品型號:HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
沖擊測試系統(tǒng)系應用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗。此種測試系依據(jù)相關(guān)的國際標準規(guī)范執(zhí)行全波(full)或截斷(chopped) 的閃電突波(L.I)帶通訊 沖擊電壓試驗裝置 工頻試驗變壓器 CVT交流耐壓裝置
詳情介紹:

HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
帶通訊 沖擊電壓試驗裝置 工頻試驗變壓器 CVT交流耐壓裝置帶通訊 沖擊電壓試驗裝置 工頻試驗變壓器 CVT交流耐壓裝置產(chǎn)品簡介:

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗,檢驗絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗中。

帶通訊 沖擊電壓試驗裝置 工頻試驗變壓器 CVT交流耐壓裝置智能內(nèi)部集成了多種設(shè)備,為了形成行業(yè)統(tǒng)一標準,MIPI聯(lián)盟發(fā)起MIPI(移動行業(yè)處理器接口)作為移動應用處理器制定的開放標準。那么如何解析MIPI中的顯示模組接口協(xié)議MIPI-DSI呢?1.MIPI介紹MIPI是2003年由ARM、NokiST、IT等公司成立的一個聯(lián)盟,旨在把內(nèi)部的接口如存儲接口、顯示接口、射頻/基帶接口等標準化,減少兼容性問題并簡化設(shè)計。MIPI聯(lián)盟有不同的工作組,分別定義一系列的內(nèi)部接口標準,如攝像頭接口CS顯示接口DS射頻接口DigRF等。


沖擊測試系統(tǒng)系應用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗。此種測試系依據(jù)相關(guān)的標準規(guī)范執(zhí)行全波(full)或截斷(chopped 的閃電突波L.I


其中EMI包括:CE(傳導干擾),RE(輻射干擾),PT(干擾功率測試)等等。EMS包括:ESD(靜電放電),RS(輻射耐受),EFT/B(快速脈沖耐受),surge(雷擊),CS(傳導耐受)等。常見的擾源顯然,EMC設(shè)計的目的就是使所設(shè)計的電子設(shè)備或系統(tǒng)在預期的電磁環(huán)境中能夠?qū)崿F(xiàn)電磁兼容。換而言之,就是說設(shè)計的電子設(shè)備或系統(tǒng)必須能夠滿足EMC標準規(guī)定的兩方面的能力。常見EMC測試項目電磁干擾(EMI)的原理EMI的產(chǎn)生原因形式的電磁干擾是影響電子設(shè)備兼容性的主要原因。帶通訊 沖擊電壓試驗裝置 工頻試驗變壓器 CVT交流耐壓裝置
HN
CJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作,手動或自動完成充放電過程,真正實現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗要求,調(diào)節(jié)充電電壓、充電時間、延時時間,能夠手動或者自動控制電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控制方式充電時,根據(jù)設(shè)定值,自動充電并穩(wěn)定在充電電壓值上,延時3秒報警觸發(fā)。充電電壓的重復性和穩(wěn)定度很好。

動作控制

本體球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動/自動控制。

觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動、自動或報警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點火。觸發(fā)點火信號可以立延時


蘭色段開始變彎曲,斜率逐漸變小。紅色段就幾乎變成水平了,這就是“飽和”。實際上,飽和是一個漸變的過程,蘭色段也可以認為是初始進入飽和的區(qū)段。在實際工作中,常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。在圖中就是假想綠色段繼續(xù)向上延伸,與Ic=50MA的水平線相交,交點對應的Ib值就是臨界飽和的Ib值。圖中可見該值約為0.25mA。由圖可見,根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值,只是使晶體管進入了初始飽和狀態(tài),實際上應該取該值的數(shù)倍以上,才能達到真正的飽和;倍數(shù)越大,飽和程度就越深。帶通訊 沖擊電壓試驗裝置 工頻試驗變壓器 CVT交流耐壓裝置

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