HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
大量供應(yīng) 雷電沖擊電壓發(fā)生器 帶時(shí)間直流高壓發(fā)生器 變頻調(diào)感發(fā)電機(jī)交流耐壓試驗(yàn)裝置產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車(chē)高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

同時(shí)整個(gè)過(guò)程中CPU過(guò)多參與，大量消耗CPU性能，影響正常的數(shù)據(jù)計(jì)算。在RDMA模式下，應(yīng)用數(shù)據(jù)可以繞過(guò)Kernel協(xié)議棧直接向網(wǎng)卡寫(xiě)數(shù)據(jù)，帶來(lái)的顯著好處有：處理延時(shí)由數(shù)十微秒降低到1微秒內(nèi)；整個(gè)過(guò)程幾乎不需要CPU參與，節(jié)省性能；傳輸帶寬更高。RDMA對(duì)于網(wǎng)絡(luò)的訴求RDMA在高性能計(jì)算、大數(shù)據(jù)、IO高并發(fā)等場(chǎng)景中應(yīng)用越來(lái)越廣泛。諸如iSICI,SAN,Ceph,MPI,Hadoop,Spark,Tensorflow等應(yīng)用軟件都開(kāi)始部署RDMA技術(shù)。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

應(yīng)用紅外熱成像儀可以快速有效地發(fā)現(xiàn)這些隱火，并且可以準(zhǔn)確判定火災(zāi)的地點(diǎn)和范圍，透過(guò)煙霧發(fā)現(xiàn)著火點(diǎn)，做到早知道早預(yù)防，早撲滅。偽裝及隱蔽目標(biāo)的識(shí)別普通的偽裝是以防可見(jiàn)光觀測(cè)為主。一般犯罪分子作案通常隱蔽在草叢及樹(shù)林中，由于野外環(huán)境的惡劣及人的視覺(jué)錯(cuò)覺(jué)，容易產(chǎn)生錯(cuò)誤判斷。紅外熱成像裝置是被動(dòng)接受目標(biāo)自身的熱輻射，和車(chē)輛的溫度及紅外輻射一般都遠(yuǎn)大于草木的溫度及紅外輻射，因此目標(biāo)不易偽裝，也不容易被錯(cuò)誤判斷。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

先測(cè)試出可控硅的峰值電壓，將電線正負(fù)極連接至K兩極，接地線接至室內(nèi)主接地上，逐漸升壓，測(cè)試其漏電流數(shù)值。進(jìn)行漏電測(cè)試后，逐漸升壓，觀測(cè)漏電流，當(dāng)數(shù)值超過(guò)其額定峰值電壓后，可控硅被擊穿，但采用此方法可能會(huì)破壞其PN結(jié)，并且只能測(cè)試其是否導(dǎo)通，而不能測(cè)試其導(dǎo)通是否良好，故不再采用此法進(jìn)行測(cè)試。搖表測(cè)試法用搖表對(duì)可控硅進(jìn)行測(cè)量，參照之前使用的漏電檢測(cè)法。為防止搖表法測(cè)試過(guò)程中擊穿或損壞可控硅，改變搖表操作方法，即要對(duì)搖表電壓和轉(zhuǎn)速進(jìn)行控制，兩筆端鏈接K極對(duì)其進(jìn)行測(cè)試。