HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
定制定做 沖擊電壓測(cè)試系統(tǒng) 油浸式試驗(yàn)變壓器 超低頻耐壓試驗(yàn)裝置產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

半導(dǎo)體材料研究和器件測(cè)試通常要測(cè)量樣本的電阻率和霍爾電壓。半導(dǎo)體材料的電阻率主要取決于體摻雜，在器件中，電阻率會(huì)影響電容、串聯(lián)電阻和閾值電壓?；魻栯妷簻y(cè)量用來(lái)推導(dǎo)半導(dǎo)體類型(n還是p)、自由載流子密度和遷移率。為確定半導(dǎo)體范德堡法電阻率和霍爾電壓，進(jìn)行電氣測(cè)量時(shí)需要一個(gè)電流源和一個(gè)電壓表。為自動(dòng)進(jìn)行測(cè)量，一般會(huì)使用一個(gè)可編程開關(guān)，把電流源和電壓表切換到樣本的所有側(cè)。A-SCS參數(shù)儀擁有4個(gè)源測(cè)量單元(SMUs)和4個(gè)前置放大器(用于高電阻測(cè)量)，可以自動(dòng)進(jìn)行這些測(cè)量，而不需可編程開關(guān)。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

分布式光纖溫度傳感系統(tǒng)是一種用于實(shí)時(shí)測(cè)量空間溫度場(chǎng)分布的傳感系統(tǒng)，實(shí)質(zhì)上是分布光纖拉曼(Raman)光子傳感器(DOFRPS)系統(tǒng)，它是近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的一種用于實(shí)時(shí)測(cè)量空間溫度場(chǎng)的光纖傳感系統(tǒng)。本文擬在簡(jiǎn)要闡述分布式光纖監(jiān)測(cè)技術(shù)和分布式光纖溫度監(jiān)測(cè)技術(shù)及其校準(zhǔn)原理的基礎(chǔ)上，對(duì)分布式光纖傳感溫度測(cè)試系統(tǒng)性能標(biāo)定方法進(jìn)行介紹，為該系統(tǒng)在工程結(jié)構(gòu)監(jiān)測(cè)中的應(yīng)用提供借鑒。原理介紹1.分布式光纖監(jiān)測(cè)技術(shù)光纖光時(shí)域反射(OTDR)原理當(dāng)激光脈沖在光纖中傳輸時(shí)，由于光纖中存在折射率的微觀不均勻性，會(huì)產(chǎn)生瑞利散射，在時(shí)域里，激光脈沖在光纖中所走過(guò)的路程為2L，可表示為2L=V×t式中:V——光在光纖中傳播的速度，可表示為V=cn，其中c為真空中的光速，n為光纖的折射率；t——入射光經(jīng)背向散射返回到光纖入射端所需的時(shí)間。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey后，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。