HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
大量供應(yīng) 雷電沖擊發(fā)生器 串聯(lián)諧振試驗(yàn)設(shè)備 感應(yīng)耐壓測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

但這里的浪涌電壓是指明工作電壓為220V交流進(jìn)入的，如果工作電壓較低則不能以此為標(biāo)準(zhǔn)，電源線上受較小的浪涌沖擊不一定立即損壞設(shè)備，但至少壽命有影響。接地端口盡管在標(biāo)準(zhǔn)中沒(méi)有專門提到接地端口的指標(biāo)，實(shí)際上信息技術(shù)設(shè)備地端口是非常重要的。在雷電發(fā)生時(shí)接地端口有可能受到地電位反擊、地電位升高影響，或者由于接地、接地不當(dāng)使地阻過(guò)大達(dá)不到參考電位要求使設(shè)備損壞。接地端口不僅對(duì)接地電阻/接地線極（長(zhǎng)度、直徑、材料）、接地方式、地網(wǎng)的設(shè)置等有要求，而且還與設(shè)備的電特性、工作頻段、工作環(huán)境等有直接的關(guān)系。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

“過(guò)去，研究人員主要使用間接測(cè)量，這種方法通過(guò)對(duì)極化進(jìn)行測(cè)量，并將極化測(cè)量值作為溫度和電壓的函數(shù)推導(dǎo)得出電熱效應(yīng)，而不是實(shí)際的溫度測(cè)量結(jié)果，”RomainFaye說(shuō)?！叭欢?，間接測(cè)量并不總是能夠得出正確的解釋。我們的團(tuán)隊(duì)一直在尋找更有效的直接溫度測(cè)量方法?！敝苯訙y(cè)量溫度變化常用的方法是使用熱電偶和紅外熱像儀。熱電偶是測(cè)量與溫度變化相關(guān)的電壓變化的電子設(shè)備，而紅外熱像儀則測(cè)量與溫度變化相關(guān)的紅外輻射變化。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

其典型的信噪比為55dB，而8位示波器一般只有35～40dB。是將一個(gè)多諧波信號(hào)分別輸入到8位和12位示波器，轉(zhuǎn)化到頻域觀察的圖形。兩者頻域的垂直刻度和基準(zhǔn)都一樣?？梢钥闯?，12位示波器的頻域噪底比8位示波器低大約lOdB。我們來(lái)看一個(gè)實(shí)際的測(cè)試案例：需要對(duì)某開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品中的功率MOS管進(jìn)行。其中有一個(gè)測(cè)試項(xiàng)是MOS管導(dǎo)通損耗。分別用電壓和電流測(cè)量漏源電壓Vds與漏極電流Ids，在示波器上將兩個(gè)波形相乘得到功率波形，導(dǎo)通期間的功率就是導(dǎo)通損耗。