HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
30年經(jīng)驗(yàn) 沖擊電壓發(fā)生裝置 油浸式試驗(yàn)變壓器 超低頻耐壓測試儀產(chǎn)品簡介：

聯(lián)系人車高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

U接線時(shí)，電壓表U測試的是加在負(fù)載兩端的真實(shí)電壓，而電流表測試的電流是流過負(fù)載的電流加上流過電壓表的電流，而流過電壓表的電流值等于電壓U除以電壓表的內(nèi)阻R，此時(shí)的功率P=U*（I+U/R），R值是固定不變的，假設(shè)U值固定，則I值越大對P值影響越小，故適合測試大電流。由于功率計(jì)無法通過儀器本身設(shè)置接線補(bǔ)充來消除電壓表（電流表）本身帶入的影響，因此在測試待機(jī)功耗時(shí)，必須嚴(yán)格按照U-I的接線方式進(jìn)行測試才能保證測試的準(zhǔn)確，待機(jī)功耗的測試你會(huì)了嗎。

沖擊測試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

CSP(ChipScalePACkage)：芯片級封裝，該方式相比BGA同等空間下可以將存儲(chǔ)容量提升三倍，是由日本三菱公司提出來的。DIP(DualIn-linePACkage)：雙列直插式封裝，插裝型封裝之一，指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，體積比較大。MCM(MultiChipModel)：多芯片模塊封裝，可根據(jù)基板材料分為MCM-L，MCM-C和MCM-D三大類。QFP(QuadFlatPackage)：四側(cè)引腳扁平封裝，表面貼裝型封裝之一，引腳通常在100以上，適合高頻應(yīng)用，基材方面有陶瓷、金屬和塑料三種。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號可以立延時(shí)

一臺(tái)示波器正用于監(jiān)控仿真ECU的輸出。鑒于保密原因使用仿真數(shù)據(jù)，其能非常接近的觀察典型ECU的輸出。通道1和通道2顯示的是仿真的PWM信號，用于控制一個(gè)輸出驅(qū)動(dòng)執(zhí)行器信號。仿真執(zhí)行器信號被捕獲在通道3上，CAN分離信號被捕獲在通道4上。電磁兼容一致性測試下顯示的是關(guān)閉模板后示波器采集到的數(shù)據(jù)信號，每個(gè)信號的波形形狀可以被清晰的顯示和觀察。示波器基于通道2的邊沿觸發(fā)，所有4個(gè)波形同時(shí)被捕獲。