HNCJ系列雷電沖擊電壓發(fā)生裝置
長(zhǎng)期供應(yīng) 沖擊電壓測(cè)試系統(tǒng) 高壓試驗(yàn)變壓器 交直流耐壓測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)系人車(chē)高平13608980122/15689901059沖擊電壓發(fā)生器主要用于電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電沖擊電壓全波、雷電沖擊電壓截波和操作沖擊電壓波的沖擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。沖擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等沖擊電壓的電源裝置。主要用于絕緣沖擊耐壓及介質(zhì)沖擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

在信號(hào)/頻譜儀上，邊帶噪聲是相位噪聲和幅度噪聲的總和，通常當(dāng)已知調(diào)幅噪聲遠(yuǎn)小于相位噪聲時(shí)(小于1dB以上)，在頻譜儀上讀出的邊帶噪聲即為相位噪聲。在29K環(huán)境溫度下，噪聲功率基底是-174dBm/Hz。由于相位噪聲和調(diào)幅噪聲對(duì)熱噪聲的貢獻(xiàn)是等同的，所以相位噪聲對(duì)熱噪聲的貢獻(xiàn)是-177dBm/Hz，比熱噪聲低3dB。如果載波功率較小，-2dBm，相位噪聲就被限制到-157dBc/Hz（-177dBm/Hz-（-2dBm））。

沖擊測(cè)試系統(tǒng)系應(yīng)用于諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的沖擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試系依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

在大多數(shù)頻譜儀中，RBW控制功能會(huì)根據(jù)用戶(hù)配置的頻寬自動(dòng)設(shè)置。在OTA測(cè)量中，應(yīng)降低RBW值，以查看可能影響受擾接收機(jī)的小信號(hào)。這種組合導(dǎo)致大多數(shù)電池供電的頻譜儀的掃描速率非常低，即其不可能看到導(dǎo)致干擾的小的間歇性瞬態(tài)信號(hào)。實(shí)時(shí)頻譜儀解決了這個(gè)問(wèn)題，它能夠使用RBW較窄的濾波器測(cè)量頻譜，速度要快于基本掃頻儀。顯示了LTE信號(hào)在空中傳送(OTA)時(shí)的結(jié)果。在這種情況下，頻寬被設(shè)置成40MHz，默認(rèn)RBW為300kHz。
HNCJ-V 雷電沖擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控制沖擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控制功能

系統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控制電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控制方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電并穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重復(fù)性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控制

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控制調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控制本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控制。

2 觸發(fā)控制

系統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)沖擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

無(wú)源晶振自身無(wú)法震蕩，在工作時(shí)需要搭配外圍電路。在一定條件下，石英晶片會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)：晶片兩端的電場(chǎng)與機(jī)械形變會(huì)互相轉(zhuǎn)化。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率相等時(shí)，晶體產(chǎn)生的振動(dòng)和電場(chǎng)強(qiáng)度，這稱(chēng)為壓電諧振，類(lèi)似與LC回路的諧振。圖1石英晶體的電路符號(hào)、等效電路、電抗特性及外圍電路圖由于晶體為無(wú)源器件，其對(duì)外圍電路的參數(shù)較為敏感，尤其為負(fù)載電容。根據(jù)晶體的手冊(cè)，我們得知測(cè)試電路中有電容，此電容對(duì)晶體是否起振大有關(guān)聯(lián)：CCg稱(chēng)作匹配電容，是接在晶振的兩個(gè)腳上的對(duì)地電容，其作用就是調(diào)節(jié)負(fù)載電容使其與晶振的要求相一致，需要注意的是CCg串聯(lián)后的總電容值才是有效的負(fù)載電容部分。