基于同樣的原因，在電源測(cè)量中也應(yīng)該盡量使用1：1的而不是示波器標(biāo)配的10：1的。否則示波器的噪聲也會(huì)被放大。帶來的噪聲是在在衰減器前面耦合進(jìn)來的，因此無論衰減比設(shè)置多少，貢獻(xiàn)的噪聲都是一定的。在某些不正確的使用方法下，可能會(huì)帶來額外的噪聲，一個(gè)典型的例子就是使用長(zhǎng)地線。為了方便測(cè)試，示波器的的無源通常會(huì)使用10cm左右的鱷魚夾形式的長(zhǎng)地線，但是這對(duì)于電源紋波的測(cè)試卻是不適用的，特別是板上存在開關(guān)電源的場(chǎng)合。
HN7030A變壓器絕緣油介質(zhì)損耗測(cè)試儀

用于絕緣油等液體絕緣介質(zhì)的介質(zhì)損耗因數(shù)和直流電阻率的測(cè)量，內(nèi)部集成了介損油杯、溫控儀、溫度傳感器、介損測(cè)試電橋、交流試驗(yàn)電源、標(biāo)準(zhǔn)電容器、高阻計(jì)、直流高壓源等主要部件。，該儀器應(yīng)用先進(jìn)的測(cè)控技術(shù),全自動(dòng)完成升溫、控溫、高速數(shù)據(jù)采樣、運(yùn)算、顯示、打印及存儲(chǔ)等過程.

技術(shù)指標(biāo)

測(cè) 量 范 圍： 電容量       5pF～200pF
              相對(duì)電容率   1.000～30.000
              介質(zhì)損耗因數(shù) 0.00001～100
直流電阻率    2.5 MΩm～20 TΩm
測(cè) 量 準(zhǔn) 度： 電容量       ±(1%讀數(shù)+0.5pF)
              相對(duì)電容率   ±1%讀數(shù)
              介質(zhì)損耗因數(shù) ±(1%讀數(shù)+0.0001)
              直流電阻率   ±10%讀數(shù)
分  辨   率： 電容量       0.01pF
              相對(duì)電容率   0.001
              介質(zhì)損耗因數(shù) 0.00001
測(cè)  溫 范 圍： 0～125℃
溫度測(cè)量誤差： ±0.5℃
交流實(shí)驗(yàn)電壓： 500～2200V  連續(xù)可調(diào)，頻率50Hz
直流試驗(yàn)電壓： 0～500V     連續(xù)可調(diào)HN7030型 油介質(zhì)損耗測(cè)試儀 變壓器直流電阻測(cè)試儀 操作Wasson表示對(duì)于TI毫米波雷達(dá)來說更有意義的是，其應(yīng)用的快速擴(kuò)展已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越了常規(guī)的ADAS功能。，其毫米波傳感器內(nèi)置的數(shù)字處理功能可以過濾噪音，使TI的雷達(dá)芯片可以探測(cè)非常微小的運(yùn)動(dòng)，甚至是人或動(dòng)物的呼吸，以判斷車內(nèi)是否有人或動(dòng)物的存在。Wasson提到“兒童乘坐探測(cè)”，很可能將進(jìn)入歐洲NCAP（新車評(píng)價(jià)規(guī)程）發(fā)展規(guī)劃。他相信這將為TI雷達(dá)傳感器在車身、傳動(dòng)和車廂內(nèi)的應(yīng)用打開大門。Tier1和OEM制造商正在尋求合適的傳感技術(shù)來實(shí)現(xiàn)這類探測(cè)，而雷達(dá)傳感器在這方面優(yōu)勢(shì)更明顯。

感謝您選擇了絕緣油介質(zhì)損耗及體積電阻率測(cè)試儀！為方便您盡早盡快地熟練操作本儀器，我們特隨機(jī)配備了內(nèi)容詳實(shí)的操作手冊(cè)，從中您可以獲取有關(guān)產(chǎn)品介紹、使用方法、儀器性能以及**注意事項(xiàng)等諸多方面的信息。

在次使用儀器之前，請(qǐng)務(wù)必仔細(xì)閱讀本操作手冊(cè)，并按本手冊(cè)對(duì)儀器進(jìn)行操作和維護(hù)，這會(huì)有助于您更好的使用該產(chǎn)品，并且可以延長(zhǎng)該儀器的使用壽命。

在編寫本手冊(cè)時(shí)，雖然我們本著科學(xué)和嚴(yán)謹(jǐn)?shù)膽B(tài)度進(jìn)行了工作，并認(rèn)為本手冊(cè)中所提供的信息是正確和可靠的。然而，智者千慮必有一失，本手冊(cè)也難免會(huì)有錯(cuò)誤和疏漏之處。如果您發(fā)現(xiàn)了手冊(cè)中的錯(cuò)誤，請(qǐng)務(wù)必于百忙之中抽時(shí)間，盡快設(shè)法告知我們，并煩請(qǐng)監(jiān)督我們迅速改正錯(cuò)誤！本公司全體職員將不勝感激！儀器結(jié)構(gòu)的不同氣體檢測(cè)儀結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，只包括(傳感器)及傳感器信號(hào)轉(zhuǎn)換電路部分。而氣體儀不僅在內(nèi)部裝有(傳感器)而且還有一整套氣路系統(tǒng)，即將樣氣引入到儀器內(nèi)部，并且再引出儀器放空或回收的全套氣路系統(tǒng)。氣體儀檢測(cè)方式不同氣體檢測(cè)報(bào)警儀利用直接暴露在被測(cè)的空氣中或樣氣環(huán)境中進(jìn)行檢測(cè)。而氣體儀是將被測(cè)氣體(樣氣)通過方式引入到儀器內(nèi)部進(jìn)行測(cè)定，然后再引出儀器外放空。氣體檢測(cè)儀對(duì)測(cè)定條件的控制方式不同氣體檢測(cè)報(bào)警儀不設(shè)有樣氣工藝技術(shù)條件的調(diào)整及控制部分，同時(shí)也完全不考慮樣氣存在的環(huán)境條件，直接進(jìn)行檢測(cè)。

本公司保留對(duì)儀器使用功能進(jìn)行改進(jìn)的權(quán)力，如發(fā)現(xiàn)儀器在使用過程中其功能與操作手冊(cè)介紹的不一致，請(qǐng)以儀器的實(shí)際功能為準(zhǔn)。我們希望本儀器能使您的工作變得輕松、愉快，愿您在繁忙的工作之中體會(huì)到辦公自動(dòng)化的輕松而美好的感覺！半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey后，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。

注意事項(xiàng)

1.遵守高壓試驗(yàn)**工作規(guī)程。

2.因儀器內(nèi)部有高壓及高溫，在工作過程中，禁止打開油杯罩。

3.儀器在使用過程中要可靠接地。

4.要注意儀器使用環(huán)境的清潔。

5.油杯安裝和清洗應(yīng)嚴(yán)格按規(guī)定進(jìn)行，否則將造成油杯放電，致使儀器無法正常工作。

6.管損壞，必須更換相同規(guī)格管。時(shí)間交錯(cuò)技術(shù)可使用多個(gè)相同的ADC（文中雖然僅討論了ADC，但所有原理同樣適用于DAC的時(shí)間交錯(cuò)特性），并以比每一個(gè)單數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器工作采樣速率更高的速率來處理常規(guī)采樣數(shù)據(jù)序列。簡(jiǎn)單說來，時(shí)間交錯(cuò)（IL）由時(shí)間多路復(fù)用M個(gè)相同的ADC并聯(lián)陣列組成。如圖1所示。這樣可以得到更高的凈采樣速率fs（采樣周期Ts=1/fs），哪怕陣列中的每一個(gè)ADC實(shí)際上以較低的速率進(jìn)行采樣（和轉(zhuǎn)換），即fs/M。舉例而言，通過交錯(cuò)四個(gè)10位/100MSPSADC，理論上可以實(shí)現(xiàn)10位/400MSPSADC。