晶閘管又叫可控硅，是一種在晶體管基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的大功率半導(dǎo)體器件，主要并廣泛應(yīng)用于整流、逆變、調(diào)壓及開(kāi)關(guān)等方面，對(duì)可控硅性能進(jìn)行檢測(cè)，對(duì)于電控系統(tǒng)的日常維護(hù)、保證正常運(yùn)轉(zhuǎn)具有十分重要的意義?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）、陽(yáng)極（A）、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成，即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相邊連，其引出端稱(chēng)T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連，其引出端稱(chēng)T2極，剩下則為控制極。
HN10A互感器特性綜合測(cè)試儀華能 互感器伏安特性測(cè)試儀 HN10A電容式互感器校驗(yàn)儀 華能牌

功能簡(jiǎn)介：

測(cè)試互感器：PT、CT（保護(hù)類(lèi)、計(jì)量類(lèi)）、伏安特性（勵(lì)磁特性）曲線、自動(dòng)給出點(diǎn)值、自動(dòng)給出5%和10%的誤差曲線、變比測(cè)量、比差測(cè)量、相位（角差）測(cè)量、極性判斷、一次通流測(cè)試、交流耐壓測(cè)試、二次負(fù)荷測(cè)試、二次繞組測(cè)試、鐵心退磁等設(shè)計(jì)的多功能現(xiàn)場(chǎng)試驗(yàn)儀器。

技術(shù)參數(shù)：

1、工作電源：AC220V±10% 、50Hz

2、設(shè)備輸出：0～2500Vrms， 5Arms（20A峰值）

3、大電流輸出：0～1000A

4、二次繞組電阻測(cè)量范圍：0.1～50Ω

5、二次繞組電阻測(cè)量準(zhǔn)度：≤0.5%、分辨力0.01

6、二次實(shí)際負(fù)荷測(cè)量范圍：5～300VA

7、二次實(shí)際負(fù)荷測(cè)量準(zhǔn)度：≤0.5%±0.1VA現(xiàn)有方法存在局限性，特別是涉及到振動(dòng)數(shù)據(jù)(無(wú)論以何種方式獲得)和確定誤差源時(shí)。典型數(shù)據(jù)采集方法包括安裝在機(jī)器上的簡(jiǎn)單壓電傳感器和手持式數(shù)據(jù)采集工具等。這些方法存在多種局限性，特別是與理想的檢測(cè)與系統(tǒng)解決方案相比較，后者可以嵌入機(jī)器上或機(jī)器中，并能自治工作。下面深入討論這些局限性及其與理想解決方案——自治無(wú)線嵌入式傳感器——的對(duì)比。對(duì)完全嵌入式自治檢測(cè)元件的復(fù)雜系統(tǒng)目標(biāo)的選項(xiàng)可以分為十個(gè)不同方面，包括實(shí)現(xiàn)高重復(fù)度的測(cè)量、采集到的數(shù)據(jù)、適當(dāng)?shù)奈臋n記錄和可追溯性等，下面將對(duì)各方面進(jìn)行說(shuō)明并探討可用方法與理想方法。

軟件使用說(shuō)明 

11.1 將配套光盤(pán)放入計(jì)算機(jī)光驅(qū)中，解壓“軟件”至C盤(pán)根目錄。

11.2，安裝“wic_x86_chs.exe”文件，其次，安裝“dotNetFx40_Full_x86_x64.exe”軟件，默認(rèn)安裝地址即可。

11.3安裝完畢后，打開(kāi)“伏安特性”文件夾，選擇打開(kāi)“VATeXing.exe”操作軟件，如圖38即為上位機(jī)操作軟件。

11.4在“VATeXing.exe”操作軟件中，下方選擇互感器種類(lèi)“CT”或“PT”，應(yīng)用語(yǔ)言“中文”或“英文”。

11.5如需生成報(bào)告格式文件，必須載入試驗(yàn)結(jié)果數(shù)據(jù)，具體操作方法如下：

a）、將存儲(chǔ)試驗(yàn)數(shù)據(jù)的U盤(pán)連接至計(jì)算機(jī)。

b）、在圖38中選擇打開(kāi)“選擇文件”，出現(xiàn)圖39操作窗口，在圖39中可根據(jù)需要載入所需文件。

c）、試驗(yàn)結(jié)果數(shù)據(jù)說(shuō)明：以“A”為開(kāi)頭的數(shù)據(jù)為勵(lì)磁特性結(jié)果數(shù)據(jù)，以“B”為開(kāi)頭的數(shù)據(jù)為變比極性結(jié)果數(shù)據(jù)，以“C”為開(kāi)頭的數(shù)據(jù)為負(fù)荷結(jié)果數(shù)據(jù)，以“D”為開(kāi)頭的數(shù)據(jù)為直阻結(jié)果數(shù)據(jù)。以“E”為開(kāi)頭的數(shù)據(jù)為角差比差結(jié)果數(shù)據(jù)，以“T”為開(kāi)頭的數(shù)據(jù)為暫態(tài)結(jié)果數(shù)據(jù)。

11.6 載入數(shù)據(jù)結(jié)束后，選擇“確定”出現(xiàn)圖40界面，在此界面右上方設(shè)置相應(yīng)參數(shù)后，選擇“生成誤差曲線”則完成所有試驗(yàn)結(jié)果的載入。

11.7 載入完成后，可根據(jù)需要選擇“保存”或打印結(jié)果數(shù)據(jù)。

11.8  選擇“保存”選項(xiàng)，則以WORD的形式顯示結(jié)果如圖41。

11.9  如需繼續(xù)加載試驗(yàn)結(jié)果數(shù)據(jù)，請(qǐng)先上次載入的數(shù)據(jù)。

未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì)將會(huì)是電子車(chē)牌識(shí)別逐步替代傳統(tǒng)車(chē)牌的識(shí)別方式。圖1汽車(chē)電子標(biāo)識(shí)電子車(chē)牌的核心就是基于RFID技術(shù)的電子標(biāo)簽，而RFID電子標(biāo)簽又分為有源和無(wú)源的兩類(lèi)，兩種標(biāo)簽的優(yōu)缺點(diǎn)如表1所示。表1電子標(biāo)簽對(duì)比考慮到電子車(chē)牌的使用壽命和使用場(chǎng)景，無(wú)源電子標(biāo)簽具有壽命長(zhǎng)、體積小易安裝、成本低廉的特點(diǎn)，更適合車(chē)輛安裝使用。在通信距離的選擇上，超高頻UHF86MHz~96MHz的無(wú)源RFID電子標(biāo)簽具有通信距離長(zhǎng)，傳輸速率快的優(yōu)點(diǎn)，其用作電子車(chē)牌的識(shí)別是一個(gè)非常不錯(cuò)的選擇。

HN12A變頻式互感器綜合儀（CT/PT儀）

功能簡(jiǎn)介：

1 勵(lì)磁特性試驗(yàn)

2 變比試驗(yàn)

3 相位和極性試驗(yàn)

4 CT一次電流及負(fù)荷時(shí)的比差、角差測(cè)量

5 CT二次繞組電阻測(cè)量

6 CT二次回路負(fù)荷測(cè)量

7 CT暫態(tài)特性測(cè)試與

8 CT升流試驗(yàn)

9 測(cè)量校核型號(hào)的CT、PT，包括保護(hù)CT、計(jì)量CT、TP級(jí)暫態(tài)CT、勵(lì)磁飽和電壓達(dá)到40KV的CT、變壓器套管CT、各電壓級(jí)PT等.

10 點(diǎn)電壓/電流、10%(5%)誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)、儀表保安系數(shù)、二次時(shí)間常數(shù)、剩磁系數(shù)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等CT、PT參數(shù)的測(cè)量.

自動(dòng)給出點(diǎn)電壓/電流、 10％誤差曲線、 5％誤差曲線、準(zhǔn)確限值系數(shù)（ALF）、 儀表保安系數(shù)（FS）、 二次時(shí)間常數(shù)(Ts)、剩磁系數(shù)(Kr)、準(zhǔn)確級(jí)、飽和和不飽和電感等參數(shù)。

技術(shù)參數(shù)：

輸出電壓：0~180V (RMS)
■ 輸出電流：0~12A，峰值36A
■ 電壓測(cè)量：準(zhǔn)確度 ±0.1%
■ CT變比測(cè)量范圍：1~30000
■ PT變比測(cè)量范圍：1~30000華能 互感器伏安特性測(cè)試儀 HN10A電容式互感器校驗(yàn)儀 華能牌上面句話一說(shuō)出來(lái)，很多人就認(rèn)識(shí)到問(wèn)題出在哪了。相信沒(méi)有哪一個(gè)實(shí)驗(yàn)是使用同一個(gè)東西來(lái)驗(yàn)證自己的正確性。校準(zhǔn)件的廠商通常提供專(zhuān)門(mén)的校驗(yàn)件，以便用戶(hù)進(jìn)行驗(yàn)證校準(zhǔn)結(jié)果的正確性。若沒(méi)有校驗(yàn)件，建議使用另外一套校準(zhǔn)件或者自己保留一個(gè)已知特性的適配器/轉(zhuǎn)接器/衰減器進(jìn)行驗(yàn)證。不要用手?jǐn)Q校準(zhǔn)件力矩扳手是校準(zhǔn)件的標(biāo)配，通常手冊(cè)中也會(huì)介紹力矩扳手的使用方法。力矩扳手也是“定標(biāo)”過(guò)的產(chǎn)品，能保證校準(zhǔn)件與儀器/電纜接觸面到達(dá)“恰到好處”的接觸。