極速互感器校驗(yàn)裝置 微型互感器誤差校驗(yàn)儀 電子式互感器校驗(yàn)儀
該裝置由HN17A極速互感器校驗(yàn)儀、電流負(fù)載箱、控制柜、電流互感器測(cè)試臺(tái)等幾個(gè)部分組成。在保持原技術(shù)特點(diǎn)的前提下，在電流互感器的快速測(cè)量、測(cè)試點(diǎn)的快速、以及負(fù)荷箱、變比的互感器覆蓋等方面有了很大的提高。

在實(shí)際應(yīng)用中，導(dǎo)線的電阻會(huì)產(chǎn)生電壓壓降，導(dǎo)致達(dá)到負(fù)載端的電壓與實(shí)際需求電壓不符，影響測(cè)試度，這種情況在自動(dòng)化測(cè)試體系中是常見(jiàn)的。為了彌補(bǔ)這一點(diǎn)，就需要在可編程電源中用到遠(yuǎn)端測(cè)量功能來(lái)補(bǔ)償導(dǎo)線上的壓降。全天科技的可編程直流電源就有此項(xiàng)功能，具有更高的**性，操作也很簡(jiǎn)便。在理想的狀況下，電源和負(fù)載之間的導(dǎo)線連接是不存在電阻的。然而事實(shí)上，導(dǎo)線的電阻會(huì)跟著導(dǎo)線的長(zhǎng)度和導(dǎo)線規(guī)格而增大。當(dāng)產(chǎn)生回路電流流過(guò)導(dǎo)線時(shí)就有可能產(chǎn)生電壓壓降，從而導(dǎo)致負(fù)載端的電壓比預(yù)期電壓要低。

 主要特點(diǎn)     

1、該互感器檢定裝置細(xì)調(diào)節(jié)采用了程控源技術(shù)，使測(cè)試點(diǎn)的更加快速、準(zhǔn)確。

2、該互感器檢定裝置在多只電流互感器測(cè)量速度方面有了質(zhì)的提高，在3-5分鐘的時(shí)間里可測(cè)量十二只任何變比的電流互感器。

3、極速互感器檢定裝置配置了1A、5A的標(biāo)準(zhǔn)電流互感器，電流負(fù)荷箱配置了1A、5A負(fù)載值2.5VA-80VA，電壓負(fù)載箱配置了100V、100/1.732負(fù)載值從1.25VA-158.75VA基本上可滿足用戶的要求。負(fù)載箱在測(cè)量時(shí)可進(jìn)行自動(dòng)切換。

 4、此互感器檢定裝置可進(jìn)行互感器的規(guī)程和非規(guī)程的測(cè)量，測(cè)量時(shí)用戶可對(duì)任何百分點(diǎn)的測(cè)量。

半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造，晶圓測(cè)試，芯片封裝和封裝后測(cè)試組成，晶圓制造和芯片封裝討論較多，而測(cè)試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識(shí)經(jīng)常被邊緣化，下面集中介紹集成電路芯片測(cè)試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個(gè)環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計(jì)、制造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測(cè)試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對(duì)Wafer劃片槽（ScribeLine）測(cè)試鍵（TestKey）的測(cè)試，通過(guò)電性參數(shù)來(lái)監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成制程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測(cè)廠的依據(jù)，測(cè)試方法是用ProbeCard扎在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測(cè)試機(jī)臺(tái)上，由WATRecipe自動(dòng)控制測(cè)試位置和內(nèi)容，測(cè)完某條TestKey后，ProbeCard會(huì)自動(dòng)移到下一條TestKey，直到整片Wafer測(cè)試完成。技術(shù)參數(shù)

2、測(cè)量范圍：
   同相分量（%）：0.0001~200.0       分辨率：0.0001
   正交分量（分）：0.001~700.0       分辨率：0.001
   阻抗（W）：0.0001~20.0         分辨率：0.0001
   導(dǎo)納（ms）：0.0001~20.0        分辨率：0.0001