HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
雷電衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 智能型試驗變壓器試驗方法產(chǎn)品簡介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗中。

適用範圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標準雷電衝擊，雷電截斷波，操作衝擊及用戶要求的非標準衝擊波的各類衝擊電壓試驗。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗波形（標準的和非標準的波形，用戶提出來的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計量檢測監(jiān)督機構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗。MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被製造成增強型或耗儘型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的隻有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號。至於為什麼不使用耗儘型的MOS管，不建議刨根問底。對於這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小且容易製造。所以開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗裝置

國網(wǎng)標準物理層測試要求充電樁的充電控製器與BMS通訊是采用CAN總線，必須滿足《QGDW1591-2014電動汽車非車載充電機檢驗技術(shù)規(guī)範》規(guī)定了物理層及鏈路層測試內(nèi)容：l物理層測試項目：傳輸速率測試、信號幅值測試、總線延時測試、總線利用率測試、總線錯誤率測試、終端電阻變化測試、報文壓力測試、抗乾擾測試l鏈路層測試項目：幀格式測試、協(xié)議數(shù)據(jù)單元測試、協(xié)議數(shù)據(jù)單元PDU格式測試、參數(shù)組編號PGN測試、傳輸協(xié)議功能測試、地址分配測試。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負載下能產(chǎn)生標準衝擊波，負載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡單，同步性能好，動作可靠。所謂智能傳感器，就是指傳感器在基本的功能之外，具有自動調(diào)零、自校準、自標定功能，同時具備邏輯判斷和信息處理能力，能對被測量信號進行信號調(diào)理或信號處理。與國外相比，我國智能傳感器的研究主要集中在以下幾方麵：一是采用先進的微電子技術(shù)、計算機技術(shù)，研究開發(fā)出將傳感器和微處理器結(jié)合、具有功能的單片集成化智能傳感器，這是當前智能傳感器的主要發(fā)展方向之一；二是針對傳感器的材料，利用生物工藝和納米技術(shù)，開發(fā)分子和原子生物傳感器，這將為以後智能傳感器的發(fā)展奠定基礎(chǔ)；三是整合芯片技術(shù)，結(jié)合敏感電子元件，研發(fā)出混合型集成智能傳感器，這種傳感器精度更高、成本更低、穩(wěn)定性更好。雷電衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 智能型試驗變壓器試驗方法

4、采用恒流充電自動控製技術(shù)，自動化程度高，抗乾擾能力強。