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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 交流耐壓試驗(yàn)裝置試驗(yàn)方法

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡(jiǎn)單介紹:
適用於JP櫃,配電箱溫升試驗(yàn),電力係統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用於開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 交流耐壓試驗(yàn)裝置試驗(yàn)方法
詳情介紹:

HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 交流耐壓試驗(yàn)裝置試驗(yàn)方法衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 交流耐壓試驗(yàn)裝置試驗(yàn)方法產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用範(fàn)圍:變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊,雷電截?cái)嗖?,操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形(標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形,用戶提出來的波形)。 適用領(lǐng)域:質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu),電力設(shè)備製造廠,鐵路通信,航天和航天飛行器,科研單位,大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗(yàn)。直流充電樁是一個(gè)典型的強(qiáng)弱電結(jié)合的電子係統(tǒng),充電功率流的強(qiáng)電部分跟後臺(tái)的控製、顯示、通訊、計(jì)費(fèi)等弱電係統(tǒng)集合在一起,EMC和可靠性兼顧的問題比較棘手。下麵簡(jiǎn)要描下電源、CAN、RS485/232的隔離在直流樁上的應(yīng)用。充電樁示意圖直流樁的主要通信方式CAN-bus:根據(jù)GB/T2234.1-215《電動(dòng)汽車傳導(dǎo)充電用連接裝置》的規(guī)範(fàn),直流樁與電動(dòng)汽車通過CAN接口進(jìn)行通信,每一個(gè)充電插頭都有CAN接口。

 

產(chǎn)品彆稱:衝擊電壓發(fā)生器,雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置,雷電衝擊電流發(fā)生器,電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

20世紀(jì)90年代的大部分時(shí)間,筆者都是在美國的矽穀度過的,當(dāng)時(shí)的美國及許多的電子商店都充斥著日本產(chǎn)品。所謂的小巧、輕薄——“輕薄短小”是日本產(chǎn)品的壓倒性的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)?,F(xiàn)在我們通過途徑獲得了上世紀(jì)90年代、2000年以後的等距今20-30年前的具有曆史性(Historical)意義的產(chǎn)品,並進(jìn)行定期分解。並不是為了與今天的產(chǎn)品進(jìn)行對(duì)比,而是為了彙總當(dāng)時(shí)機(jī)械地(Mechanical)組合的產(chǎn)品如何被今天的電子產(chǎn)品所取代的。衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 交流耐壓試驗(yàn)裝置試驗(yàn)方法
HN
CJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

 

1、回路電感小,並采取帶阻濾波措施,在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波,負(fù)載能力大。

 

2、電壓利用係數(shù)高,雷電波和操作波分彆不低於85%80%。

 

3、調(diào)波方便,操作簡(jiǎn)單,同步性能好,動(dòng)作可靠。而對(duì)於支撐端到端傳輸?shù)幕A(chǔ)網(wǎng)絡(luò)而言,低延時(shí)(微秒級(jí))、無損(lossless)則是重要的指標(biāo)。低延時(shí)網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)發(fā)延時(shí)主要產(chǎn)生在設(shè)備節(jié)點(diǎn)(這裡忽略了光電傳輸延時(shí)和數(shù)據(jù)串行延時(shí)),設(shè)備轉(zhuǎn)發(fā)延時(shí)包括以下三部分:存儲(chǔ)轉(zhuǎn)發(fā)延時(shí):芯片轉(zhuǎn)發(fā)線處理延遲,每個(gè)hop會(huì)產(chǎn)生1微秒左右的芯片處理延時(shí)(業(yè)界也有嘗試使用cut-through模式,單跳延遲可以降低到0.3微秒左右);Buffer緩存延時(shí):當(dāng)網(wǎng)絡(luò)擁塞時(shí),報(bào)文會(huì)被緩存起來等待轉(zhuǎn)發(fā)。衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 交流耐壓試驗(yàn)裝置試驗(yàn)方法衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 交流耐壓試驗(yàn)裝置試驗(yàn)方法衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 交流耐壓試驗(yàn)裝置試驗(yàn)方法衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 交流耐壓試驗(yàn)裝置試驗(yàn)方法

 

4、采用恒流充電自動(dòng)控製技術(shù),自動(dòng)化程度高,抗乾擾能力強(qiáng)。

 


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