HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 串聯(lián)諧振耐壓試驗裝置定製定做產(chǎn)品簡介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗中。

適用範(fàn)圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊，雷電截斷波，操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計量檢測監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗。帶寬、采樣率和存儲深度是數(shù)字示波器的三大關(guān)鍵指標(biāo)。相對於工程師們對示波器帶寬的熟悉和重視，采樣率和存儲深度往往在示波器的選型、評估和測試中為大家所忽視。這篇文章的目的是通過簡單介紹采樣率和存儲深度的相關(guān)理論結(jié)合常見的應(yīng)用幫助工程師更好的理解采樣率和存儲深度這兩個指針的重要特征及對實際測試的影響，同時有助於我們掌握選擇示波器的權(quán)衡方法，樹立正確的使用示波器的觀念。在開始了解采樣和存儲的相關(guān)概念前，我們先回顧一下數(shù)字存儲示波器的工作原理。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗裝置

後，儘管電源管理技術(shù)的進(jìn)步使得充電時間得以大幅減少，但仍然比傳統(tǒng)加油站要長得多。雖然充電基礎(chǔ)設(shè)施正在快速擴(kuò)張，尤其是像大汽車這樣的公司在美國投資20億美元用於清潔汽車基礎(chǔ)設(shè)施，這也是其為處理柴油機(jī)排放醜聞的努力之一。但許多公司正在尋找其他方式，能夠更便利地對車輛進(jìn)行充電。其中一個正在討論和評估中的關(guān)鍵技術(shù)是無線充電，特彆是終能夠動態(tài)地為車輛充電。雖然許多人視無線充電為新技術(shù)，但其實它已有百年曆史。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡單，同步性能好，動作可靠。平麵低通濾波器簡介隨著現(xiàn)在微波鏈路越來越高頻化，小型化，直接在鏈路中集成低通的現(xiàn)象越來越普遍。同時很多芯片化的低通也大都是在高介電陶瓷片上實現(xiàn)的微帶濾波器。陶瓷片型的芯片電容，電感，均衡器都需要用到平麵低通的設(shè)計概念。常見的低通濾波器在ADS中的模型及結(jié)構(gòu)形式見。常見的平麵結(jié)構(gòu)低通濾波器三種結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點對比見表1，通常對要求比較高的設(shè)計時可綜合三種結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點進(jìn)行折中設(shè)計。表1三種結(jié)構(gòu)優(yōu)缺點對比2.平麵低通濾波器設(shè)計的理論基礎(chǔ)本次總結(jié)的理論基礎(chǔ)來源，核心理論為的高低阻抗線等效電路。衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 串聯(lián)諧振耐壓試驗裝置定製定做

4、采用恒流充電自動控製技術(shù)，自動化程度高，抗乾擾能力強(qiáng)。