HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
雷電衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 電纜交流耐壓試驗(yàn)裝置試驗(yàn)方法產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用範(fàn)圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊，雷電截?cái)嗖?，操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗(yàn)。LED的芯片其實(shí)就是個(gè)半導(dǎo)體，有如以下的IV曲線。反向電壓如果加的過高，LED會(huì)因被擊穿而損壞，所以很多時(shí)候我們需要去測(cè)量反向電壓。若隻是單純要測(cè)量芯片的特性，基本上使用電源和萬用表即可。主要可測(cè)試的項(xiàng)目包括正向電壓、擊穿電壓、漏電流…測(cè)試LED的整體IV曲線特性幾個(gè)參數(shù)正向電壓:Vf擊穿電壓:Vr漏電流:IL這些項(xiàng)目的測(cè)試其實(shí)並不算困難，但必須要選對(duì)合適的測(cè)量?jī)x器。若是選擇了不適合的測(cè)量?jī)x器，測(cè)試的值誤差則會(huì)非常大。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

，在測(cè)量電阻時(shí)，四線製測(cè)試法往往比兩線製測(cè)試法結(jié)果更。Fluke5係列的測(cè)試表筆就是采用了四線製測(cè)試的設(shè)計(jì)，但僅憑外觀判斷，不少工程師會(huì)誤以為這是兩線製測(cè)試的表筆，今天小福就帶大家來揭秘Fluke5係列蓄電池內(nèi)阻測(cè)試儀表筆暗藏的~簡(jiǎn)單科普一下兩線製測(cè)試和四線製測(cè)試的區(qū)彆：兩線製測(cè)試原理：如下圖所示，此種連接方式即為典型的兩線製測(cè)試。其中被測(cè)電阻為Rb，兩根導(dǎo)線的饋線電阻分彆為R1和R2，利用已知的I及V12，即可得到結(jié)果，但結(jié)果R=(R1+R2+Rb)，包含了饋線電阻，阻值比實(shí)際偏大。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡(jiǎn)單，同步性能好，動(dòng)作可靠。拿出ES31E儀表來，此時(shí)旋轉(zhuǎn)開關(guān)在OFF檔位，關(guān)機(jī)狀態(tài)中。測(cè)量土壤電阻率，就把旋轉(zhuǎn)開關(guān)旋轉(zhuǎn)到ρE檔，將會(huì)顯示.Ωm，測(cè)量接地電阻就旋轉(zhuǎn)到RE檔，接地電壓就VE檔。把接地棒打到土壤下，線上有鉗子的一端鉗住接地棒，還要再打三根接地棒。共：紅，黃，綠，黑四根線。接地線的按照H,S,ES,E順序成一直線排列，每個(gè)接地棒之間距離為5米。紅，黃，綠，黑對(duì)應(yīng)儀表上的顏色插口就行。按SET鍵設(shè)置好距離，如5米。雷電衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 電纜交流耐壓試驗(yàn)裝置試驗(yàn)方法

4、采用恒流充電自動(dòng)控製技術(shù)，自動(dòng)化程度高，抗乾擾能力強(qiáng)。