HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 交流耐壓測(cè)試儀生產(chǎn)廠家產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用範(fàn)圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊，雷電截?cái)嗖?，操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來(lái)的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門(mén)的防雷和雷電試驗(yàn)。當(dāng)前的電子電路(比如電子測(cè)量?jī)x器、多媒體產(chǎn)品)的電平切換速度、信號(hào)複雜度比以前更高，同時(shí)芯片的封裝和信號(hào)幅值卻越來(lái)越小，對(duì)電源波動(dòng)更加敏感。電路設(shè)計(jì)者們比以前會(huì)更關(guān)心電源端帶來(lái)的影響。以ZDS2024示波器本身為例，內(nèi)部的主電源為一個(gè)開(kāi)關(guān)電源，主板上的電源分配網(wǎng)絡(luò)要把這個(gè)直流電源變成電壓的直流電源(如：+-5V,+3.3V,+12V等等)，給CPU以及各個(gè)芯片供電，同時(shí)我們的風(fēng)扇也是隨時(shí)溫度動(dòng)態(tài)的在變化。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

，安防係統(tǒng)可能使用熱電紅外傳感器(PIR)和/或基於微波的運(yùn)動(dòng)檢測(cè)器，在檢測(cè)到運(yùn)動(dòng)時(shí)觸發(fā)警報(bào)。通常，報(bào)警係統(tǒng)為一個(gè)閉環(huán)並且本身就是一個(gè)“孤島”。立係統(tǒng)提供的功能有限，並且通常帶來(lái)冗餘硬件產(chǎn)生的額外成本負(fù)擔(dān)。圖1：立係統(tǒng)提供的功能有限，並且通常帶來(lái)冗餘硬件產(chǎn)生的額外成本負(fù)擔(dān)。如果可通過(guò)與主要功能完全不同的其他係統(tǒng)連接來(lái)共享關(guān)鍵傳感器，則可在不犧牲性能或功能的情況下實(shí)現(xiàn)更彆的自主操作和節(jié)能。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡(jiǎn)單，同步性能好，動(dòng)作可靠。數(shù)據(jù)記錄通?；妒录蛘{(diào)度。事件由狀態(tài)更改觸發(fā)，布爾類型數(shù)據(jù)狀態(tài)轉(zhuǎn)化。調(diào)度數(shù)據(jù)記錄則被設(shè)置為定期發(fā)生，每分鐘、每小時(shí)、每天或每月?？捎涗浀臉?biāo)記數(shù)量通常有限，但應(yīng)為每個(gè)調(diào)度或觸發(fā)的件配置至少5個(gè)標(biāo)記值。係統(tǒng)錯(cuò)誤也應(yīng)與錯(cuò)誤或事件發(fā)生的時(shí)間和日期一起存儲(chǔ)。日誌文件名應(yīng)該是可配置的，或者根據(jù)用戶的偏好自動(dòng)生成。除了就地記錄數(shù)據(jù)之外，一些控製器還可以與信息技術(shù)企業(yè)係統(tǒng)進(jìn)行通信。連接到控製器的OPC服務(wù)器就是一個(gè)例子。衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 交流耐壓測(cè)試儀生產(chǎn)廠家

4、采用恒流充電自動(dòng)控製技術(shù)，自動(dòng)化程度高，抗乾擾能力強(qiáng)。