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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 交流耐壓測(cè)試儀定製定做

  • 產(chǎn)品型號(hào):HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡(jiǎn)單介紹:
適用於JP櫃,配電箱溫升試驗(yàn),電力係統(tǒng)技術(shù)人員檢驗(yàn)電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗(yàn)。也可用於開(kāi)關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 交流耐壓測(cè)試儀定製定做
詳情介紹:

HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 交流耐壓測(cè)試儀定製定做衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 交流耐壓測(cè)試儀定製定做產(chǎn)品簡(jiǎn)介:

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用範(fàn)圍:變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊,雷電截?cái)嗖?,操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形(標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形,用戶提出來(lái)的波形)。 適用領(lǐng)域:質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu),電力設(shè)備製造廠,鐵路通信,航天和航天飛行器,科研單位,大專院校以及氣象等部門(mén)的防雷和雷電試驗(yàn)。測(cè)量體溫已經(jīng)成為一種全民日常行為。在多種多樣的體溫檢測(cè)儀和測(cè)量原理中,紅外熱成像產(chǎn)品因其非接觸式、大麵積掃描、快速、無(wú)感測(cè)溫的特點(diǎn),在大規(guī)模場(chǎng)景、密集處、公共場(chǎng)所大放異彩。來(lái)源:微博-日?qǐng)?bào)一時(shí)之間,不少人紛紛開(kāi)始搜索紅外熱成像原理,研究視場(chǎng)角FOV、發(fā)射率ε、環(huán)境溫度等參數(shù),以確保測(cè)溫準(zhǔn)確性。然而,紅外熱成像產(chǎn)品屬於“上手容易、精通難”。對(duì)於普通使用者來(lái)說(shuō),有冇有可能撇開(kāi)專業(yè)的參數(shù)設(shè)置,簡(jiǎn)單操作即可滿足體溫篩查需求?德圖熱像儀防疫檢測(cè)功能,可以幫助您簡(jiǎn)化儀器操作。

 

產(chǎn)品彆稱:衝擊電壓發(fā)生器,雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置,雷電衝擊電流發(fā)生器,電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

壓鑄工藝的優(yōu)化在模具噴塗前和噴塗後,自動(dòng)對(duì)每一次壓鑄循環(huán)生成的模具分布的全輻射的熱圖做保存,提供有關(guān)模具熱圖分布的熱感應(yīng)圖像,得到模具熱部分的詳細(xì)信息。從而使客戶對(duì)於當(dāng)前工藝條件有直觀的判斷。鑄造工程師可以通過(guò)對(duì)模具噴塗過(guò)程的優(yōu)化以實(shí)現(xiàn)對(duì)模具溫度的快速調(diào)整。裂紋,鑄件表麵粗糙,灰色或者黃色斑點(diǎn),缺料,鑄件翹曲,鏽蝕等均被認(rèn)為是與模具溫度相關(guān)的鑄造缺陷,通過(guò)在線紅外熱像儀對(duì)壓鑄工藝做的控製就可以大大提升控製水平。衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 交流耐壓測(cè)試儀定製定做
HN
CJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

 

1、回路電感小,並采取帶阻濾波措施,在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波,負(fù)載能力大。

 

2、電壓利用係數(shù)高,雷電波和操作波分彆不低於85%80%。

 

3、調(diào)波方便,操作簡(jiǎn)單,同步性能好,動(dòng)作可靠。在帶寬500MHz以下的示波器,一般標(biāo)配是1倍衰減或10倍衰減的無(wú)源,某些的衰減比可手動(dòng)選擇。不同衰減比的在帶寬、輸入電阻、輸入電容上麵都有差異:圖2ZP1025SA1倍、10倍衰減時(shí)的參數(shù)差異可見(jiàn)的輸入電容,比晶體手冊(cè)的負(fù)載電容要大。的介入,必定大大影響到原已參數(shù)優(yōu)化好的電路,從而嚴(yán)重影響晶體電路的起振。兩害相權(quán)取其輕,測(cè)量無(wú)源晶振時(shí)應(yīng)優(yōu)先選用10倍衰減。若10倍衰減的寄生參數(shù)還是過(guò)大,可以考慮選用有源高壓差分,其負(fù)載參數(shù)優(yōu)化得非常小,如Lecroy的ZP1000,輸入阻抗可達(dá)0.9p1M歐姆。衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 交流耐壓測(cè)試儀定製定做衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 交流耐壓測(cè)試儀定製定做衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 交流耐壓測(cè)試儀定製定做衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 交流耐壓測(cè)試儀定製定做

 

4、采用恒流充電自動(dòng)控製技術(shù),自動(dòng)化程度高,抗乾擾能力強(qiáng)。

 


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