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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:雷衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途

  • 產(chǎn)品型號:HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
適用於JP櫃,配電箱溫升試驗,電力係統(tǒng)技術(shù)人員檢驗電流互感器保護裝置及二次回路電流試驗。也可用於開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設備作電流負載試驗及溫升試驗。雷衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途
詳情介紹:

HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
雷衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途雷衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途產(chǎn)品簡介:

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗,檢驗絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗中。

適用範圍:變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標準雷電衝擊,雷電截斷波,操作衝擊及用戶要求的非標準衝擊波的各類衝擊電壓試驗。一套設備就可產(chǎn)生多種試驗波形(標準的和非標準的波形,用戶提出來的波形)。 適用領(lǐng)域:質(zhì)檢鑒定計量檢測監(jiān)督機構(gòu),電力設備製造廠,鐵路通信,航天和航天飛行器,科研單位,大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗。LED的芯片其實就是個半導體,有如以下的IV曲線。反向電壓如果加的過高,LED會因被擊穿而損壞,所以很多時候我們需要去測量反向電壓。若隻是單純要測量芯片的特性,基本上使用電源和萬用表即可。主要可測試的項目包括正向電壓、擊穿電壓、漏電流…測試LED的整體IV曲線特性幾個參數(shù)正向電壓:Vf擊穿電壓:Vr漏電流:IL這些項目的測試其實並不算困難,但必須要選對合適的測量儀器。若是選擇了不適合的測量儀器,測試的值誤差則會非常大。

 

產(chǎn)品彆稱:衝擊電壓發(fā)生器,雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗裝置,雷電衝擊電流發(fā)生器,電壓發(fā)生器試驗裝置

由於所有的物體均發(fā)射熱輻射,熱輻射是物體溫度的函數(shù),該數(shù)據(jù)可用來以一種非接觸的方式?jīng)Q定物體的確切溫度。整個雲(yún)臺通過以太網(wǎng)與機器人主控電腦連接,主控製器通過網(wǎng)絡對紅外熱成像、高清相機和雲(yún)臺運動進行控製。熱成像輸出CVBS模擬和高清相機數(shù)字通過壓縮板進行H264編碼壓縮,再傳輸?shù)街骺仉娔X。熱成像測溫數(shù)據(jù)通過以太網(wǎng)接穿頻壓縮板直達主控製器,向主控製器提供每秒多幀的全屏測溫數(shù)據(jù)、溫信息,同時也根據(jù)被測溫設備特性從主控製獲取輻射率、距離、區(qū)域信息等,結(jié)合機器人的預置位能力,可以有效保證測溫的準確性和多次測溫數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)可對比性。雷衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途
HN
CJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

 

1、回路電感小,並采取帶阻濾波措施,在大電容量負載下能產(chǎn)生標準衝擊波,負載能力大。

 

2、電壓利用係數(shù)高,雷電波和操作波分彆不低於85%80%。

 

3、調(diào)波方便,操作簡單,同步性能好,動作可靠。當?shù)皖l時,電容C由於阻抗Z比較大,有用信號可以順利通過;當高頻時,電容C由於阻抗Z已經(jīng)很小了,相當於把高頻噪聲短路到GND上去了。電容濾波在何時會失效整改中常常會使用電容這種元器件進行濾波,往往有“大電容濾低頻,小電容濾高頻”的說法。以常見的表貼式MLCC陶瓷電容為例,進行等效模型如下:容值10nF,封裝0603的X7R陶瓷的模型參數(shù)如下:由於等效模型中既有電容C,也有電感L,組成了二階係統(tǒng),就存在不穩(wěn)定性。雷衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途雷衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途雷衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途雷衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻高壓發(fā)生器原理用途

 

4、采用恒流充電自動控製技術(shù),自動化程度高,抗乾擾能力強。

 


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