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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:雷電衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻耐壓試驗裝置定製定做

  • 產(chǎn)品型號:HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
適用於JP櫃,配電箱溫升試驗,電力係統(tǒng)技術(shù)人員檢驗電流互感器保護(hù)裝置及二次回路電流試驗。也可用於開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負(fù)載試驗及溫升試驗。雷電衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻耐壓試驗裝置定製定做
詳情介紹:

HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
雷電衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻耐壓試驗裝置定製定做雷電衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻耐壓試驗裝置定製定做產(chǎn)品簡介:

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗,檢驗絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗中。

適用範(fàn)圍:變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊,雷電截斷波,操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗波形(標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形,用戶提出來的波形)。 適用領(lǐng)域:質(zhì)檢鑒定計量檢測監(jiān)督機構(gòu),電力設(shè)備製造廠,鐵路通信,航天和航天飛行器,科研單位,大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗。儘管如此,各個通道的中心頻率可以立設(shè)置,默認(rèn)是聯(lián)動的,也可以根據(jù)需要設(shè)置為不同值。SpectrumView支持自動搜索峰值,多支持11個PeakMarker,幅值的頻點自動標(biāo)記為“Ref.Marker”,其它Marker的頻點和幅值可以顯示為值,也可以顯示為相對於“Ref.Marker”的相對值。如果所需要的Marker數(shù)目超過限製,還可以通過使用頻域的cursor確定頻率和幅值。時域、頻域的立並行.信號采集和架構(gòu)示意圖給出了信號采集和處理架構(gòu)示意圖,模擬信號經(jīng)過ADC轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號後,時域和頻域是並行處理的,從而可以立設(shè)置時域和頻域捕獲時間。

 

產(chǎn)品彆稱:衝擊電壓發(fā)生器,雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗裝置,雷電衝擊電流發(fā)生器,電壓發(fā)生器試驗裝置

”做好防災(zāi)應(yīng)急工作,是落實以人為本的科學(xué)發(fā)展觀的重要體現(xiàn),是維護(hù)人民群根本利益的重要舉措,也是保持社會和諧穩(wěn)定的重要環(huán)節(jié)。隨著和社會對防災(zāi)應(yīng)急工作的重視,各地都已製訂了防災(zāi)應(yīng)急預(yù)案,做到“組織規(guī)範(fàn),有效防範(fàn),積極應(yīng)對”,儘能力保障人民生命財產(chǎn)**。近年來,我國應(yīng)急產(chǎn)業(yè)快速興起並不斷發(fā)展,在應(yīng)對突發(fā)件中發(fā)揮著重要作用。應(yīng)急產(chǎn)業(yè)是為突發(fā)事件預(yù)防與應(yīng)急準(zhǔn)備、監(jiān)測與預(yù)警、處置與救援提供產(chǎn)品和服務(wù)的產(chǎn)業(yè)。雷電衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻耐壓試驗裝置定製定做
HN
CJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

 

1、回路電感小,並采取帶阻濾波措施,在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波,負(fù)載能力大。

 

2、電壓利用係數(shù)高,雷電波和操作波分彆不低於85%80%。

 

3、調(diào)波方便,操作簡單,同步性能好,動作可靠。與其他靈敏的SMU相比,4201-SMU和4211-SMU的電容指標(biāo)已經(jīng)提高,這些SMU模塊用於可配置的Model4200A-SCS參數(shù)儀,使用Clarius+軟件進(jìn)行交互控製。本文探討了4201-SMU和4211-SMU可以進(jìn)行穩(wěn)定的弱電流測量的多種應(yīng)用實例,包括測試:平板顯示器上的OLED像素器件、長電纜MOSFET傳遞特點、通過開關(guān)矩陣連接的FET、卡盤上的納米FETI-V測量、電容器泄漏測量。雷電衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻耐壓試驗裝置定製定做雷電衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻耐壓試驗裝置定製定做雷電衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻耐壓試驗裝置定製定做雷電衝擊電壓發(fā)生裝置 HNCJ係列 0.1HZ超低頻耐壓試驗裝置定製定做

 

4、采用恒流充電自動控製技術(shù),自動化程度高,抗乾擾能力強。

 


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