HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
雷衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 便攜式交流耐壓測(cè)試儀試驗(yàn)方法產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用範(fàn)圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊，雷電截?cái)嗖?，操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來(lái)的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗(yàn)。由於實(shí)際應(yīng)用中的熱量，需要測(cè)量MOX塗層在真空下的電阻值，然後測(cè)量MOX塗層在空氣中存在一定量的目標(biāo)氣體（以ppm測(cè)試）的情況下的電阻值，兩者的比值作為校準(zhǔn)設(shè)備的依據(jù)。在實(shí)際操作中，校準(zhǔn)的MOX電阻測(cè)量是對(duì)環(huán)境中目標(biāo)氣體密度的指示。對(duì)傳感器加熱器和MOX測(cè)量值的控製，就好比對(duì)設(shè)備寄存器的讀/寫，由控製器ASIC執(zhí)行，而ASIC又由測(cè)試係統(tǒng)通過(guò)I2C接口進(jìn)行控製。I2C接口是四線製總線，由兩個(gè)I2C總線(SCL和SDA)、中斷信號(hào)和複位信號(hào)組成。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

用編程器不僅不能提供編程效率，反而出現(xiàn)了極高的率品，更要命的是很多率芯片已損壞，這不是賠了夫人又折兵嗎（花錢買編程器編壞芯片）？其實(shí)客戶的諮詢及反饋，也印證著我們編程器技術(shù)一路以來(lái)的發(fā)展及變革史，細(xì)節(jié)決定成敗。通常，使用編程器編寫芯片出現(xiàn)品率，是有多因數(shù)造成的，比如芯片批次質(zhì)量波動(dòng)、編程燒錄房環(huán)境及人員習(xí)慣素質(zhì)、夾具使用壽命、編程器老化、編程器時(shí)序的兼容性等原因。解決這些基本問(wèn)題，一般可以通過(guò)加強(qiáng)人員培訓(xùn)，設(shè)備維護(hù)升級(jí)或者及時(shí)更新芯片時(shí)序算法就可解決，並且也達(dá)到了一定的效果。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡(jiǎn)單，同步性能好，動(dòng)作可靠。此外，跟LiDAR係統(tǒng)不同，紅外熱成像傳感器無(wú)懼濃霧或陽(yáng)光直射。據(jù)報(bào)道，F(xiàn)LIR在今年年初發(fā)布了一款新型高分辨率熱成像汽車開(kāi)發(fā)套件（ADK），這款A(yù)DK搭載了高分辨率FLIRBoson機(jī)芯，還配備了英特爾MovidiusMyriad2視覺(jué)處理單元，是FLIR目前一款在滿足車規(guī)要求的緊湊型堅(jiān)固封裝中，匹配低功耗多核視覺(jué)處理器的紅外熱像儀模組。這類熱敏傳感器已經(jīng)在多個(gè)領(lǐng)域獲得廣泛應(yīng)用：熱追蹤、電路問(wèn)題探測(cè)、火災(zāi)現(xiàn)場(chǎng)的人員位置確定等。雷衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 便攜式交流耐壓測(cè)試儀試驗(yàn)方法

4、采用恒流充電自動(dòng)控製技術(shù)，自動(dòng)化程度高，抗乾擾能力強(qiáng)。