HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
雷電衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 變電站電氣設(shè)備耐壓裝置定製定做產(chǎn)品簡介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗中。

適用範(fàn)圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊，雷電截斷波，操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計量檢測監(jiān)督機構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗。根據(jù)這四個典型的諧波波形可以知道：在嵌入式係統(tǒng)實驗室中，三相的電流波形為整流電路特征，電容充電過程才有電流，有明顯的畸變。通過FFT可以看出3次、5次和7次諧波的THDi含量都很高。其中3次諧波畸變率78%，5次為49%，7次為28%，總諧波畸變率高達(dá)95.6%，但實驗室消耗的功率較低，的B相電流為16A，考慮到建築的供電變壓器容量較大，係統(tǒng)阻抗較小，所以電壓畸變率較低，並未超過標(biāo)準(zhǔn)限值。另一個需要注意的現(xiàn)象是中性線電流，當(dāng)僅存在基波電流時，在中性線上會流過三相不平衡電流，各相基波電流相互抵消後的數(shù)值肯定小於相的單相基波電流。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗裝置

其次，關(guān)閉正、負(fù)壓室取壓點，打開放空開關(guān)，此時，儀表輸出應(yīng)為4mA，如果不為20mA或4mA，應(yīng)檢查正、負(fù)壓室放空堵頭是否堵，遷移量是否改變，零位是否準(zhǔn)確，隔離液是否流失等。這兩種應(yīng)用的故障現(xiàn)象還要考慮到液位測量取壓後的正負(fù)遷移量問題。如果遷移量冇有與實際安裝位置的遷移量相對應(yīng)，其所測量出的液位也是不準(zhǔn)確的。另外如果測量的容器內(nèi)的氣體要考慮到是否有液化或冷凝的可能。如果有單純的導(dǎo)壓管連接就需要考慮其冷凝或液化後的液體能夠回流到容器內(nèi)，不至於流進(jìn)負(fù)導(dǎo)壓管，對測量造成顯示偏小。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡單，同步性能好，動作可靠。PGA：插針網(wǎng)格陣列封裝，插裝型封裝之一，基材多采用多層陶瓷基板。SIP(SingleIn-line)：單列直插式封裝，引腳從封裝一個側(cè)麵引出，排列成一條直線。SIP(SystemInaPackage)：係統(tǒng)級封裝，將多種功能芯片，包括處理器、存儲器等功能芯片集成在一個封裝內(nèi)，從而實現(xiàn)一個基本完整的功能。對比MCM，3D立體化可以體現(xiàn)在芯片堆疊和基板腔體上。雷電衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 變電站電氣設(shè)備耐壓裝置定製定做

4、采用恒流充電自動控製技術(shù)，自動化程度高，抗乾擾能力強。