HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 超低頻耐壓測試儀定製定做產(chǎn)品簡介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗中。

適用範(fàn)圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊，雷電截斷波，操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計量檢測監(jiān)督機構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗。光纖通信是用光纖作為傳輸介質(zhì)，以光波作為載波來實現(xiàn)信息傳輸，從而達到通信目的的一種新通信技術(shù)。與傳統(tǒng)的電氣通信相比，光纖傳感技術(shù)具有精度和靈敏度高、抗電磁乾擾、壽命長、耐腐蝕、成本低、光纖傳輸損耗極低，傳輸距離遠等突出優(yōu)點。雖然光纖通信具有以上突出的優(yōu)點，但本身存在的缺陷也不容忽視，比如：光纖的質(zhì)地脆，容易斷裂、機械強度差，彎曲不能過小;供電困難;分路、耦合不靈活；光纖的切斷和連接需要特定的工具或設(shè)備等。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗裝置

MOS管種類和結(jié)構(gòu)MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被製造成增強型或耗儘型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的隻有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。右圖是這兩種MOS管的符號。至於為什麼不使用耗儘型的MOS管，不建議刨根問底。對於這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導(dǎo)通電阻小且容易製造。所以開關(guān)電源和馬達驅(qū)動的應(yīng)用中，一般都用NMOS。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡單，同步性能好，動作可靠。在這裡，我們主要討論模式模式四充電樁內(nèi)的剩餘電流保護器的選用。在GB/T18487.1-2015中要求，交流供電設(shè)備的剩餘電流保護器宜采用A型或B型，符合GB14084.2-2008，GB16916.1-2014和GB22794-2008的相關(guān)要求。如所示為充電模式3控製導(dǎo)引電路原理圖，在供電設(shè)備內(nèi)部安裝了剩餘電流保護器。圖1充電模式3控製導(dǎo)引電路原理圖什麼是A型或者B型剩餘電流保護器？我國的剩餘電流保護裝置（RCD）指導(dǎo)性標(biāo)準(zhǔn)GB/Z6829-2008（IEC/TR60755:2008,MOD）《剩餘電流動作保護器的一般要求》從產(chǎn)品的基本結(jié)構(gòu)、剩餘電流類型、脫扣方式等方麵作了劃分。衝擊耐壓試驗裝置 HNCJ係列 超低頻耐壓測試儀定製定做

4、采用恒流充電自動控製技術(shù)，自動化程度高，抗乾擾能力強。