
- 聯(lián)係人 : 車高平 肖吉盛
- 聯(lián)係電話 : 0532-88365027
- 傳真 : 0532-88319127
- 移動(dòng)電話 : 13608980122
- 地址 : 青島南京路27號(hào)
- Email : 88365027@163.com
- 郵編 : 266700
- 公司網(wǎng)址 : http://www.tplsw.cn
- MSN : 88365027@163.com
- QQ : 1265377928
HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 變頻串聯(lián)諧振定製定做產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。
適用範(fàn)圍:變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊,雷電截?cái)嗖?,操作衝擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形(標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形,用戶提出來的波形)。 適用領(lǐng)域:質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu),電力設(shè)備製造廠,鐵路通信,航天和航天飛行器,科研單位,大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗(yàn)。其次檢測(cè)接閃器的高度、材料規(guī)格、安裝位置(易遭雷擊部位有無安裝)、防腐措施、連接形式與質(zhì)量等。另外還要檢查建築物頂部接閃器、建築物頂部外露的其他金屬物體、引下線是否電氣貫通;檢查接閃器上有無附著的其它電氣線路;檢查架空避雷線、網(wǎng)與被保護(hù)物距離是否符合要求等。接地電阻檢測(cè)。在測(cè)定電阻時(shí)須先估計(jì)電流的大小,選出適當(dāng)截麵的絕緣導(dǎo)線,在預(yù)備試驗(yàn)時(shí)可利用可變電阻r調(diào)整電流,當(dāng)正式測(cè)定時(shí),則將可變電阻短路,由安培計(jì)和伏特計(jì)所得的數(shù)值可以算出接地電阻。
產(chǎn)品彆稱:衝擊電壓發(fā)生器,雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置,雷電衝擊電流發(fā)生器,電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置
波段為.9~1.7微米為短波紅外,本文將羅列一些實(shí)際應(yīng)用案例。識(shí)彆人造材料由於人造材料在短波紅外波長(zhǎng)中有特的反射方式,這將有助於區(qū)分在可見光譜中肉眼看起來類似的材料。使其在影像中呈現(xiàn)更具體的類型區(qū)彆。上圖阿爾及利亞某煉油廠,左圖為可見光影像;中圖為短波紅外影像,可通過顏色可辨彆建築材料成分;右圖顯示廠區(qū)有活躍的火舌。火災(zāi)撲救很多物質(zhì)在短波紅外波段上具有特定的發(fā)射率和吸收特性,比如雪、冰、多種巖石及人造物質(zhì)等。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征
1、回路電感小,並采取帶阻濾波措施,在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波,負(fù)載能力大。
2、電壓利用係數(shù)高,雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。
3、調(diào)波方便,操作簡(jiǎn)單,同步性能好,動(dòng)作可靠。端接測(cè)試點(diǎn)長(zhǎng)時(shí)間監(jiān)測(cè)異常ZDS4的時(shí)序軟件具備長(zhǎng)時(shí)間統(tǒng)計(jì)功能,下班後設(shè)置好示波器,對(duì)數(shù)據(jù)采集儀的SPI總線時(shí)序連續(xù)監(jiān)測(cè)一個(gè)晚上,天上班的時(shí)候,導(dǎo)出監(jiān)測(cè)結(jié)果,如所示,一個(gè)晚上總共進(jìn)行了72185次測(cè)量,其中有1347次是測(cè)量失敗的,導(dǎo)致異常的原因是SPI的數(shù)據(jù)建立時(shí)間不滿足後級(jí)芯片的時(shí)序要求。示波器自動(dòng)保存了這1347份失敗的測(cè)試報(bào)告,打開第1345份測(cè)試報(bào)告,如所示,顯示了當(dāng)前建立時(shí)間為3.75ns(包含時(shí)序違規(guī)處截圖),不滿足後級(jí)芯片4ns建立時(shí)間的要求,而且曆史出現(xiàn)差的時(shí)序是3.5ns,時(shí)序是8.5ns,問題得以。衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 變頻串聯(lián)諧振定製定做
4、采用恒流充電自動(dòng)控製技術(shù),自動(dòng)化程度高,抗乾擾能力強(qiáng)。