HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
雷電衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 過電壓保護(hù)器測(cè)試儀定製定做產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

適用範(fàn)圍：變壓器、電抗器、互感器及其它高壓電器、高壓晶閘管閥SVC(HVDC)、電力電纜、各類高壓絕緣子、套管等試品的標(biāo)準(zhǔn)雷電衝擊，雷電截?cái)嗖ǎ僮餍n擊及用戶要求的非標(biāo)準(zhǔn)衝擊波的各類衝擊電壓試驗(yàn)。一套設(shè)備就可產(chǎn)生多種試驗(yàn)波形（標(biāo)準(zhǔn)的和非標(biāo)準(zhǔn)的波形，用戶提出來的波形）。 適用領(lǐng)域：質(zhì)檢鑒定計(jì)量檢測(cè)監(jiān)督機(jī)構(gòu)，電力設(shè)備製造廠，鐵路通信，航天和航天飛行器,科研單位，大專院校以及氣象等部門的防雷和雷電試驗(yàn)。另外，許多無機(jī)化合物具有多種晶型結(jié)構(gòu)，它們具有不同的拉曼活性，因此用拉曼光譜能測(cè)定和鑒彆紅外光譜無法完成的無機(jī)化合物的晶型結(jié)構(gòu)。在催化化學(xué)中，拉曼光譜能夠提供催化劑本身以及表麵上物種的結(jié)構(gòu)信息，還可以對(duì)催化劑製備過程進(jìn)行實(shí)時(shí)研究。同時(shí)，激光拉曼光譜是研究電極/溶液界麵的結(jié)構(gòu)和性能的重要方法，能夠在分子水平上深入研究電化學(xué)界麵結(jié)構(gòu)、吸附和反應(yīng)等基礎(chǔ)問題並應(yīng)用於電催化、腐蝕和電鍍等領(lǐng)域。拉曼光譜在高分子材料中的應(yīng)用拉曼光譜可提供聚合物材料結(jié)構(gòu)方麵的許多重要信息。

產(chǎn)品彆稱：衝擊電壓發(fā)生器，雷電衝擊電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置，雷電衝擊電流發(fā)生器，電壓發(fā)生器試驗(yàn)裝置

2003年6月通過的終標(biāo)準(zhǔn)對(duì)網(wǎng)絡(luò)供電的電源、傳輸和接收都作了細(xì)致的規(guī)定。用戶在設(shè)計(jì)PoE應(yīng)用時(shí)，必須嚴(yán)格遵守這些規(guī)定，購買認(rèn)證產(chǎn)品，才能夠直接從以太網(wǎng)獲得可靠電源。POE技術(shù)的好處：，有效減少連入牆上電源插座的數(shù)量。想想我們的辦公桌：一臺(tái)PC的主機(jī)和顯示器就各需要一個(gè)三孔插座，就算普通員工不需要連接掃描儀、打印機(jī)等外設(shè)，但通常也需要更多的電源插座來連接PDA底座、充電器以至於IP。這些設(shè)備的AC電源並不通用。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

1、回路電感小，並采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)衝擊波，負(fù)載能力大。

2、電壓利用係數(shù)高，雷電波和操作波分彆不低於85%和80%。

3、調(diào)波方便，操作簡(jiǎn)單，同步性能好，動(dòng)作可靠。802.3af正在推動(dòng)監(jiān)視網(wǎng)絡(luò)與以太網(wǎng)融合的進(jìn)程。除了部署過程得到簡(jiǎn)化，基於PoE的係統(tǒng)能夠?qū)z像機(jī)安放到以前因?yàn)闊o法部署AC電源而難以安放的位置，並且獲得內(nèi)部電源保障。802.3af還有助於推動(dòng)RFID技術(shù)應(yīng)用的普及，支持802.3af的RFID閱讀器可以與以太網(wǎng)交換機(jī)相連，以實(shí)時(shí)傳輸全新的標(biāo)簽位置跟蹤信息。目前思科的此類產(chǎn)品就已在美國(guó)的兩家大型中得到了應(yīng)用?？偠灾?02.3af意味著隻要是能夠部署以太網(wǎng)線纜的地方，就可以安裝許多易於安裝的新設(shè)備。雷電衝擊耐壓試驗(yàn)裝置 HNCJ係列 過電壓保護(hù)器測(cè)試儀定製定做

4、采用恒流充電自動(dòng)控製技術(shù)，自動(dòng)化程度高，抗乾擾能力強(qiáng)。