HNDL係列全自動(dòng)大電流發(fā)生器測(cè)試係統(tǒng)大電流恒流源 大電流溫升試驗(yàn)裝置 溫升試驗(yàn)係統(tǒng) 定製定做

是青島華能遠(yuǎn)見(jiàn)有限公司自主研製開(kāi)發(fā)的專(zhuān)業(yè)應(yīng)用於母線槽、頻率50Hz開(kāi)關(guān)、電流互感器和其它電器設(shè)備的電流負(fù)載速斷試驗(yàn)及溫升試驗(yàn)。則有效的保證了測(cè)試數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。整機(jī)測(cè)試單元包括：高精度毫秒計(jì)、真有效值電流表、電流傳感器（進(jìn)口件）、調(diào)壓器、大功率升流器、微電腦控製器等部分。自動(dòng)調(diào)壓輸出電流。下文將從技術(shù)種類(lèi)、產(chǎn)業(yè)機(jī)遇及國(guó)內(nèi)代表性企業(yè)近況等方麵對(duì)產(chǎn)業(yè)進(jìn)行一個(gè)簡(jiǎn)單的介紹。封裝技術(shù)有哪些?封裝的分類(lèi)方式有多種，如以封裝組合中芯片數(shù)目為依據(jù)可以分為單芯片封裝和多芯片封裝;以材料為依據(jù)可以分為高分子材料類(lèi)和陶瓷類(lèi);以器件和電路板連接方式為依據(jù)可以分為引腳插入型和表麵貼裝型;以引腳分彆為依據(jù)可以分為單邊引腳、雙邊引腳、四邊引腳、底部引腳等。封裝技術(shù)曆經(jīng)多年發(fā)展，常見(jiàn)的類(lèi)型有如下幾種：BGA(BallGridArraye)：球柵陣列封裝，表麵貼裝型封裝之一，是在封裝體基板的底部製作陣列焊球作為電路的I/O端與PCB板互接，由美國(guó)Motorola公司開(kāi)發(fā)。

特點(diǎn)

1、 采用10英寸真彩大液晶觸摸屏操作；測(cè)試無(wú)需外接任何輔助設(shè)備，全自動(dòng)控製，式操作，簡(jiǎn)單方便。

2、 帶有自動(dòng)穩(wěn)流係統(tǒng)，工控機(jī)可實(shí)現(xiàn)四遙控能

3、 采用當(dāng)前電力電子技術(shù)，抗乾擾能力強(qiáng)，輸出精度高，紋波係數(shù)小於0.2％，準(zhǔn)確度高於0.5%；。

4、 自動(dòng)試驗(yàn)隻需設(shè)置好目標(biāo)電流即可，無(wú)需人工監(jiān)控，僅需設(shè)定測(cè)試電流，省去手動(dòng)調(diào)壓，減小勞動(dòng)強(qiáng)度，提高工作效率。運(yùn)行時(shí)間可自由設(shè)定

5、絕緣耐壓 1800/AC  1min,   絕緣等級(jí)：B級(jí)

 與示波器傳統(tǒng)的FFT測(cè)試頻譜方法相比，SpectrumView具有到的優(yōu)勢(shì)，那麼性能優(yōu)異的SpectrumView主要用於哪些場(chǎng)景呢？這是本文將重點(diǎn)介紹的內(nèi)容。本文將以泰克新一代示波器MSO64為實(shí)例來(lái)講解時(shí)頻域信號(hào)技術(shù)。MSO64采用全新TEK049平臺(tái)，不僅實(shí)現(xiàn)了4通道同時(shí)打開(kāi)時(shí)25GS/s的高采樣率，而且實(shí)現(xiàn)了12-bit高垂直分辨率。同時(shí)，由於采用了新型低噪聲前端放大ASIC—TEK061，大大降低了噪聲水平，在1mv/div時(shí)，實(shí)測(cè)的本底噪聲RSM值隻有58uV，遠(yuǎn)遠(yuǎn)低於市場(chǎng)同類(lèi)示波器。

二、技術(shù)指標(biāo)

1.輸入 交流50Hz , 380V。

2.可三相平衡的輸出0—20000A交流大電流。運(yùn)行時(shí)段可自行設(shè)定。

3. 輸出開(kāi)口電壓：0-20V.

4.電流精度 ：各電流均可平滑平穩(wěn)連續(xù)可調(diào)，精度高於0.5級(jí).電流電壓表顯示為真有效數(shù)值，精度高、穩(wěn)定度高。

5.電流波形失真   THD 1%  設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高於國(guó)標(biāo)<<GB14048.2-14>>.

6.保護(hù)設(shè)置  過(guò)流、過(guò)壓

7.絕緣阻抗  20兆歐

8.絕緣耐壓  1800/AC  1MIN

9.可測(cè)被測(cè)元件的電流動(dòng)作時(shí)間。並可同步記錄鎖定動(dòng)作時(shí)間。常開(kāi)、常閉觸點(diǎn)自動(dòng)判彆。測(cè)時(shí)範(fàn)圍：0.01S---99999.99s,精度;0. 01s.根據(jù)上圖顯示，固晶層缺陷會(huì)造成的熱阻增大，影響散熱性能，具體的影響程度與缺陷的大小有關(guān)。測(cè)量結(jié)殼熱阻：這兩次測(cè)試的分彆：次測(cè)量，器件直接接觸到基板熱沉上；次測(cè)量，器件和基板熱沉中間夾著導(dǎo)熱雙麵膠。由於兩次散熱路徑的改變僅僅發(fā)生在器件封裝殼之外，因此結(jié)構(gòu)函數(shù)上兩次測(cè)量的分界處就代表了器件的殼。如下圖所示的曲線變化，可得出器件的熱阻。結(jié)構(gòu)無(wú)損檢測(cè)：同批次產(chǎn)品，取固晶層完好、邊緣缺陷以及中間缺陷的樣品測(cè)試。

三、操作方法

1、儀器接入380V電壓，在將儀器後麵電流輸出端子與被測(cè)品接通構(gòu)成電流回路接線端子要緊固。麵板上的常閉觸點(diǎn)要接到被測(cè)品的輔助常閉觸點(diǎn)上。

2、打開(kāi)儀器側(cè)麵空氣開(kāi)關(guān)，等待幾秒進(jìn)入試驗(yàn)選擇界麵如下圖：

電流輸出線與常閉觸點(diǎn)接入後，注急停按鈕不要按下，直接按啟動(dòng)按鈕，即可通過(guò)點(diǎn)擊觸控屏升降按鈕來(lái)調(diào)節(jié)電流輸出大小。(每次試驗(yàn)結(jié)束後，都要按下麵板歸零按鈕讓調(diào)壓器自動(dòng)歸零位)。

2) 自動(dòng)升流就選擇進(jìn)入“自動(dòng)試驗(yàn)”界麵如下圖：

自動(dòng)試驗(yàn)時(shí)，每次都要先選擇“參數(shù)設(shè)置”來(lái)設(shè)置輸出電流大小。做長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行可自由設(shè)定運(yùn)行時(shí)間。如下圖：CSP(ChipScalePACkage)：芯片級(jí)封裝，該方式相比BGA同等空間下可以將存儲(chǔ)容量提升三倍，是由日本三菱公司提出來(lái)的。DIP(DualIn-linePACkage)：雙列直插式封裝，插裝型封裝之一，指采用雙列直插形式封裝的集成電路芯片，體積比較大。MCM(MultiChipModel)：多芯片模塊封裝，可根據(jù)基板材料分為MCM-L，MCM-C和MCM-D三大類(lèi)。QFP(QuadFlatPackage)：四側(cè)引腳扁平封裝，表麵貼裝型封裝之一，引腳通常在100以上，適合高頻應(yīng)用，基材方麵有陶瓷、金屬和塑料三種。

1.在連接儀器測(cè)試線前，應(yīng)先檢查各項(xiàng)調(diào)壓器是否歸零。急停按鈕是否關(guān)閉。

2.輸出電流2500A以上時(shí)，電流輸出線一定要緊固。試驗(yàn)時(shí)間≤300s。機(jī)器設(shè)備的不平衡、缺陷、緊固件鬆動(dòng)和其它異?，F(xiàn)象往往會(huì)轉(zhuǎn)化為振動(dòng)，導(dǎo)致精度下降，並且引發(fā)**問(wèn)題。如果置之不理，除了性能和**問(wèn)題外，若導(dǎo)致設(shè)備停機(jī)修理，也必然會(huì)帶來(lái)生產(chǎn)率損失。即使設(shè)備性能發(fā)生微小的改變，這通常很難及時(shí)，也會(huì)迅速轉(zhuǎn)化為重大的生產(chǎn)率損失。工廠環(huán)境下的過(guò)程控製與維護(hù)自動(dòng)化;無(wú)線檢測(cè)網(wǎng)絡(luò)的高價(jià)值目標(biāo)，過(guò)程監(jiān)控和基於狀態(tài)的預(yù)見(jiàn)性維護(hù)是一種行之有效的避免生產(chǎn)率損失的方法，但這種方法的複雜性與其價(jià)值不相上下。