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產(chǎn)品詳情
  • 產(chǎn)品名稱:配電箱大電流發(fā)生器HNDL 三相溫升試驗設(shè)備 容量大 5年保修

  • 產(chǎn)品型號:HNDL
  • 產(chǎn)品廠商:華能
  • 產(chǎn)品文檔:
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簡單介紹:
適用於JP櫃,配電箱溫升試驗,電力係統(tǒng)技術(shù)人員檢驗電流互感器保護裝置及二次回路電流試驗。也可用於開關(guān),電纜、直流電流傳感器和其它電器設(shè)備作電流負載試驗及溫升試驗。配電箱大電流發(fā)生器HNDL 三相溫升試驗設(shè)備 容量大 5年保修
詳情介紹:

HNDL800 JP櫃 配電箱溫升試驗係統(tǒng) 配電箱大電流發(fā)生器HNDL 三相溫升試驗設(shè)備 容量大 5年保修 

配電箱大電流發(fā)生器HNDL 三相溫升試驗設(shè)備 容量大 5年保修
聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059用於箱變
,
配電箱額定電流溫升試驗。溫升試驗裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗標準對開關(guān)櫃進行試驗的要求。傳統(tǒng)的微功率電源模塊采用自激推挽拓撲的電路,效率、容性負載、啟動能力等各項性能之間的相互製約,如表1所示:啟動能力與容性負載能力相互加強作用,而與電源轉(zhuǎn)換效率是相互製約的,啟動能力強則電源轉(zhuǎn)換效率低。難以均衡、難以采用常規(guī)技術(shù)突破,導(dǎo)致成本高、性價比低;同時該拓撲結(jié)構(gòu)電路是無異常工況保護功能,在電路出現(xiàn)異常工作狀態(tài)時,會導(dǎo)致電源模塊損壞,甚至導(dǎo)致災(zāi)難性的後果,而且行業(yè)內(nèi)的微功率電源模塊有如下三道難題:表1各性能相互製約表難題一:輸出短路保護與輸出特性市麵上支持短路保護的電源主要采用兩種方案,但均存在較大的缺陷:行業(yè)內(nèi)比較常用的方法是利用變壓器繞組分離的技術(shù)實現(xiàn)長期輸出短路保護功能,但采用這種方式帶來的後果是大大減低了產(chǎn)品的轉(zhuǎn)換效率、紋波噪聲較大並且提高了成本;采用自主磁芯技術(shù)實現(xiàn)可持續(xù)短路保護,但為避免短路時,後端重載會導(dǎo)致模塊損壞,因此輸出容性負載能力差。

配電箱大電流發(fā)生器HNDL 三相溫升試驗設(shè)備 容量大 5年保修1.2 技術(shù)參數(shù)要求

恒流輸出電流:AC範圍 0到額定電流,連續(xù)可調(diào), 且該輸出電流為真有效值(指負載被試開關(guān)櫃及相關(guān)標準規(guī)定的試驗附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩(wěn)定輸出時間應(yīng)滿足工作時間要求)

輸出波形:標準正弦波

輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)

輸出電壓:0-6V,且連續(xù)可調(diào)

工作時間:大電流輸出不少於24小時

輸出相數(shù):三相  多路

如所示。若直接將相距很遠的通信節(jié)點分彆連接至各自的本地大地,地電勢差會以共模電壓的形式疊加在總線發(fā)送器的輸出端,疊加之後的信號可能遠遠超過接收器所能承受的共模輸入電壓範圍,從而無法正常接收信號,嚴重還會損壞。普通的CAN、RS-485的共模輸入範圍較小,如SN65HVD25SP3085兩款僅支持-7~+12V共模輸入範圍,大地流過大型設(shè)備注入的大電流,由此引起的地電勢差可高達幾伏、幾十伏甚至上百伏,遠遠超出所能承受的電壓範圍。配電箱大電流發(fā)生器HNDL 三相溫升試驗設(shè)備 容量大 5年保修


1.3 恒流源配置列表:(按照客戶具體需求配置)

序號

名稱

數(shù)量

1

3回路三相0-100A電流調(diào)節(jié)器

1

2

3回路三相0-400A電流調(diào)節(jié)器

1

3

3回路三相0-630A電流調(diào)節(jié)器

1

4

3回路三相0-800A電流調(diào)節(jié)器

1

配電箱大電流發(fā)生器HNDL 三相溫升試驗設(shè)備 容量大 5年保修微分結(jié)構(gòu)函數(shù)中,波峰與波穀的拐點就是兩種結(jié)構(gòu)的分界處,便於識彆器件內(nèi)部的各層結(jié)構(gòu)。在結(jié)構(gòu)函數(shù)的末端,其值趨向於一條垂直的漸近線,此時代表熱流傳導(dǎo)到了空氣層,由於空氣的體積無窮大,因此熱容也就無窮大。從原點到這條漸近線之間的x值就是結(jié)區(qū)到空氣環(huán)境的熱阻,也就是穩(wěn)態(tài)情況下的熱阻。利用結(jié)構(gòu)函數(shù)識彆器件封裝內(nèi)部的“缺陷”:對比上麵兩個器件的剖麵結(jié)構(gòu),固晶層可見明顯差異。如下圖,左邊為正常產(chǎn)品,右邊為固晶層有缺陷的產(chǎn)品。配電箱大電流發(fā)生器HNDL 三相溫升試驗設(shè)備 容量大 5年保修


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