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HNDL800 JP櫃 配電箱溫升試驗(yàn)係統(tǒng) JP櫃溫升大電流發(fā)生器HNDL 直流開(kāi)關(guān)試驗(yàn)電源 容量大 30年經(jīng)驗(yàn)
聯(lián)係人車(chē)高平13608980122/15689901059用於箱變,配電箱額定電流溫升試驗(yàn)。溫升試驗(yàn)裝置技術(shù)性能需滿足根據(jù)GB/T11022、DL/T 593、GB/T 3906、DL/T 404等試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)對(duì)開(kāi)關(guān)櫃進(jìn)行試驗(yàn)的要求。封測(cè)是封裝和測(cè)試製程的合稱,其中封裝是為保護(hù)芯片不受環(huán)境因素的影響,而將晶圓代工廠商製造好的集成電路裝配為芯片的過(guò)程,具有連接芯片內(nèi)部和外部電路溝通的作用;測(cè)試環(huán)節(jié)的目的是檢查出芯片。作為半導(dǎo)體核心產(chǎn)業(yè)鏈上重要的一環(huán),封測(cè)雖在摩爾定律驅(qū)動(dòng)行業(yè)發(fā)展的時(shí)代地位上不及設(shè)計(jì)和製造,但隨著“超越摩爾時(shí)代”概念的提出和到來(lái),先進(jìn)封裝成為了延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵,在產(chǎn)業(yè)鏈上的重要性日漸提升。既然先進(jìn)封裝將成為行業(yè)未來(lái)發(fā)展的關(guān)鍵推動(dòng)力之一,那麼我們就有必要對(duì)封裝產(chǎn)業(yè)尤其是國(guó)內(nèi)的封裝產(chǎn)業(yè)進(jìn)行一個(gè)大致的了解,以便窺探產(chǎn)業(yè)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)。
1.2 技術(shù)參數(shù)要求
恒流輸出電流:AC範(fàn)圍 0到額定電流,連續(xù)可調(diào), 且該輸出電流為真有效值(指負(fù)載被試開(kāi)關(guān)櫃及相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的試驗(yàn)附件, 可輸出的電流有效值, 電流穩(wěn)定輸出時(shí)間應(yīng)滿足工作時(shí)間要求)
輸出波形:標(biāo)準(zhǔn)正弦波
輸出頻率: 50Hz (+5%, -2%)
輸出電壓:0-6V,且連續(xù)可調(diào)
工作時(shí)間:大電流輸出不少於24小時(shí)
輸出相數(shù):三相 多路
因?yàn)殡b有靈敏度高時(shí),與被測(cè)量變化對(duì)應(yīng)的輸出信號(hào)的值才比較大,有利於信號(hào)處理。但要注意的是,傳感器的靈敏度高,與被測(cè)量無(wú)關(guān)的外界噪聲也容易混入,也會(huì)被放大係統(tǒng)放大,影響測(cè)量精度。要求傳感器本身應(yīng)具有較高的信噪比,儘員減少?gòu)耐饨缫氲膹S擾信號(hào)。傳感器的靈敏度是有方向性的。當(dāng)被測(cè)量是單向量,而且對(duì)其方向性要求較高,則應(yīng)選擇其它方向靈敏度小的傳感器;如果被測(cè)量是向量,則要求傳感器的交叉靈敏度越小越好。
1.3 恒流源配置列表:(按照客戶具體需求配置)
序號(hào) |
名稱 |
數(shù)量 |
1 |
3回路三相0-100A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
2 |
3回路三相0-400A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
3 |
3回路三相0-630A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
4 |
3回路三相0-800A電流調(diào)節(jié)器 |
1 |
