HNZDL係列可編程直流穩(wěn)壓電源 可編程直流穩(wěn)壓電源 大電流電鍍電源 脈衝老化電源 定製定做

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059
直流輸出 電壓：0- 6000V連續(xù)可調(diào)  

電流：0- 100000A連續(xù)可調(diào)   

源電壓效應(yīng) ≤0.2%有效值

負(fù)載效應(yīng) 穩(wěn)壓精度：≤0.5%有效值（阻性負(fù)載）

恒流精度：≤0.5%有效值（阻性負(fù)載）半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓製造，晶圓測試，芯片封裝和封裝後測試組成，晶圓製造和芯片封裝討論較多，而測試環(huán)節(jié)的相關(guān)知識經(jīng)常被邊緣化，下麵集中介紹集成電路芯片測試的相關(guān)內(nèi)容，主要集中在WAT，CP和FT三個環(huán)節(jié)。集成電路設(shè)計、製造、封裝流程示意圖WAT（WaferAcceptanceTest）測試，也叫PCM（ProcessControlMonitoring），對Wafer劃片槽（ScribeLine）測試鍵（TestKey）的測試，通過電性參數(shù)來監(jiān)控各步工藝是否正常和穩(wěn)定，CMOS的電容，電阻，Contact，metalLine等，一般在wafer完成製程前，是Wafer從Fab廠出貨到封測廠的依據(jù)，測試方法是用ProbeCard紮在TestKey的metalPad上，ProbeCard另一端接在WAT測試機(jī)臺上，由WATRecipe自動控製測試位置和內(nèi)容，測完某條TestKey後，ProbeCard會自動移到下一條TestKey，直到整片Wafer測試完成。

電壓電流設(shè)定 多圈電位器、按鍵式、液晶觸摸屏（可選）

過壓保護(hù) 內(nèi)置O.V.P保護(hù)，保護(hù)值為額定值+5%，保護(hù)後關(guān)閉輸出，重新開機(jī)解鎖

過流保護(hù) 過載、短路、定電流輸出靈敏度的選擇通常，在傳感器的線性範(fàn)圍內(nèi)，希望傳感器的靈敏度越高越好。因為隻有靈敏度高時，與被測量變化對應(yīng)的輸出信號的值才比較大，有利於信號處理。但要注意的是，傳感器的靈敏度高，與被測量無關(guān)的外界噪聲也容易混入，也會被放大係統(tǒng)放大，影響測量精度。要求傳感器本身應(yīng)具有較高的信噪比，儘員減少從外界引入的廠擾信號。傳感器的靈敏度是有方向性的。當(dāng)被測量是單向量，而且對其方向性要求較高，則應(yīng)選擇其它方向靈敏度小的傳感器；如果被測量是向量，則要求傳感器的交叉靈敏度越小越好。

功率直流電源主要由整流濾波電路，全橋變換電路，PWM控製電路，穩(wěn)壓、限壓電路，穩(wěn)流、限流保護(hù)電路，以及輔助電源電路等優(yōu)化組合而成。

三相電網(wǎng)（或單相）電壓經(jīng)電源開關(guān)進(jìn)入大功率直流電源後，進(jìn)行整流濾波，得到的520VDC（單相為300VDC）的平滑直流電壓供給逆變電路。機(jī)內(nèi)控製電源自三相輸入電壓取一路380CAC（或單相220VAC）經(jīng)變壓器降壓穩(wěn)流後，再通過三端穩(wěn)壓器得到DC±12V電壓供給各部分控製電路使用。

逆變電路主要由大功率IG模塊（或場效應(yīng)MOSFET模塊）組成全橋變換電路。當(dāng)PWM輸出控製信號通過隔離驅(qū)動器分彆驅(qū)動功率模塊，兩組對角管分彆交替導(dǎo)通，在高頻變壓器初級產(chǎn)生高頻脈衝電壓，次級電壓由高頻變壓器變壓後整流向負(fù)載提供能量。

停機(jī)時把調(diào)節(jié)旋鈕調(diào)至較小位置並切斷電源開關(guān)，把啟動、停止開關(guān)撥至停止位置。

10.8、自動計時功能（500A以下自動機(jī)型才有）：自動計時功能是檢測輸入電流是否大於5A，大於5A則開始記時，時控開關(guān)‘時控關(guān)’，到預(yù)置時間報警，並把電流降到10%額定電流以內(nèi)，工件拿出後，時控不工作，待下一工件放下開始自動工作。當(dāng)使用電流小於5A時