HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
廠家供應(yīng) 雷電衝擊發(fā)生器 超低頻高壓發(fā)生器 電子式多倍頻發(fā)生器產(chǎn)品簡介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗中。

我們可以先來看一下諧波測量的方法，可以參考《一文讀懂諧波測量方法》（加上微文鏈接），其中我們常用的諧波采用的是同步采樣法，這樣可以保證不會出現(xiàn)頻譜泄露，保證諧波測量的準(zhǔn)確，如IEC6100-4-7標(biāo)準(zhǔn)就規(guī)定了10倍基頻的采樣原則。而同步采樣法的基礎(chǔ)就是PLL源的選擇。以上我們了同步源和PLL源對測量數(shù)據(jù)和諧波的影響，那麼這兩個“源”跟信號頻率又有什麼關(guān)係呢？是關(guān)係非常大，同步源是保證儀器按照信號周期來進(jìn)行技術(shù)，PLL源是保證諧波時，測量周期是被測信號周期的整數(shù)倍，這裡我們可以看到信號周期的準(zhǔn)確是對“源”的基本要求，而信號周期的測量實際上就是對信號頻率的測量。

衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截斷（chopped） 的閃電突波（L.I）

LED的芯片其實就是個半導(dǎo)體，有如以下的IV曲線。反向電壓如果加的過高，LED會因被擊穿而損壞，所以很多時候我們需要去測量反向電壓。若隻是單純要測量芯片的特性，基本上使用電源和萬用表即可。主要可測試的項目包括正向電壓、擊穿電壓、漏電流…測試LED的整體IV曲線特性幾個參數(shù)正向電壓:Vf擊穿電壓:Vr漏電流:IL這些項目的測試其實並不算困難，但必須要選對合適的測量儀器。若是選擇了不適合的測量儀器，測試的值誤差則會非常大。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動或自動完成充放電過程，真正實現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時間、延時時間，能夠手動或者自動控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控製方式充電時，根據(jù)設(shè)定值，自動充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時3秒報警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動作控製

本體球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動/自動控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動、自動或報警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點火。觸發(fā)點火信號可以立延時

由的基本結(jié)構(gòu)可知，是不可能被看為一個透明的設(shè)備，一定會有很多性能上的限製，比如電纜和補償設(shè)備決定了的帶寬，又比如中的器件尺寸也決定了的輸入電壓。所以會有一些基本的參數(shù)。在此歸納一下：衰減係數(shù)衰減係數(shù)，是所有都會有的一個參數(shù)，指的是使信號幅度下降的程度。某些可能會有可選擇的衰減係數(shù)。典型的衰減係數(shù)有1×、10×和100×。1×表示不會對信號進(jìn)行衰減。10×則表示信號會被衰減10倍再輸入示波器。