HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
帶通訊 衝擊電壓試驗(yàn)裝置 工頻試驗(yàn)變壓器 CVT交流耐壓裝置產(chǎn)品簡介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

智能內(nèi)部集成了多種設(shè)備，為了形成行業(yè)統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)，MIPI聯(lián)盟發(fā)起MIPI（移動(dòng)行業(yè)處理器接口）作為移動(dòng)應(yīng)用處理器製定的開放標(biāo)準(zhǔn)。那麼如何解析MIPI中的顯示模組接口協(xié)議MIPI-DSI呢？1.MIPI介紹MIPI是2003年由ARM、NokiST、IT等公司成立的一個(gè)聯(lián)盟，旨在把內(nèi)部的接口如存儲(chǔ)接口、顯示接口、射頻/基帶接口等標(biāo)準(zhǔn)化，減少兼容性問題並簡化設(shè)計(jì)。MIPI聯(lián)盟有不同的工作組，分彆定義一係列的內(nèi)部接口標(biāo)準(zhǔn)，如攝像頭接口CS顯示接口DS射頻接口DigRF等。

衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

其中EMI包括：CE（傳導(dǎo)乾擾），RE（輻射乾擾），PT(乾擾功率測試)等等。EMS包括：ESD(靜電放電），RS（輻射耐受），EFT/B(快速脈衝耐受)，surge（雷擊），CS（傳導(dǎo)耐受）等。常見的擾源顯然，EMC設(shè)計(jì)的目的就是使所設(shè)計(jì)的電子設(shè)備或係統(tǒng)在預(yù)期的電磁環(huán)境中能夠?qū)崿F(xiàn)電磁兼容。換而言之,就是說設(shè)計(jì)的電子設(shè)備或係統(tǒng)必須能夠滿足EMC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的兩方麵的能力。常見EMC測試項(xiàng)目電磁乾擾（EMI）的原理EMI的產(chǎn)生原因形式的電磁乾擾是影響電子設(shè)備兼容性的主要原因。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號可以立延時(shí)

蘭色段開始變彎曲，斜率逐漸變小。紅色段就幾乎變成水平了，這就是“飽和”。實(shí)際上，飽和是一個(gè)漸變的過程，蘭色段也可以認(rèn)為是初始進(jìn)入飽和的區(qū)段。在實(shí)際工作中，常用Ib*β=V/R作為判斷臨界飽和的條件。在圖中就是假想綠色段繼續(xù)向上延伸，與Ic=50MA的水平線相交，交點(diǎn)對應(yīng)的Ib值就是臨界飽和的Ib值。圖中可見該值約為0.25mA。由圖可見，根據(jù)Ib*β=V/R算出的Ib值，隻是使晶體管進(jìn)入了初始飽和狀態(tài)，實(shí)際上應(yīng)該取該值的數(shù)倍以上，才能達(dá)到真正的飽和；倍數(shù)越大，飽和程度就越深。