HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
30年經(jīng)驗 雷電衝擊電壓發(fā)生器 高壓試驗變壓器 交直流耐壓測試儀產(chǎn)品簡介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗中。

機動車對環(huán)境的電磁乾擾已被視作與噪聲、排放同等重要的公害，涉及到環(huán)境保護、人身健康、行駛**等。機動車整車及零部件工作環(huán)境通常很惡劣，始終處於一個充滿電磁相互乾擾的環(huán)境，為了避免互相乾擾，車輛必須具有優(yōu)良的電磁兼容性能，同時也必須提供一個具有能夠模擬並複現(xiàn)車輛電磁兼容性環(huán)境的測試實驗室，來驗證車輛的電磁兼容性能。機動車電磁兼容性測試技術(shù)隨著電子技術(shù)和信息技術(shù)的發(fā)展，電磁兼容試驗從初的室外良好的電磁環(huán)境下的試驗，一直發(fā)展到室內(nèi)全天候機動車電磁兼容實驗室。

衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標準規(guī)範執(zhí)行全波（full）或截斷（chopped） 的閃電突波（L.I）

因紅外熱像電梯檢測技術(shù)是被測電梯元件上輻射的紅外線能量，不會影響或乾擾被測對象——電梯的頻率特性與磁場，所以可應(yīng)用於電梯電氣控製係統(tǒng)或高頻電路的故障檢測；操作簡單方便、**性高，電梯電氣控製係統(tǒng)集交流380V、220V與直流110V等多種電壓，對其進行檢測或者其他帶電檢測的場合，紅外熱像電梯檢測技術(shù)不僅**方便，而且對電梯檢測條件和電梯運行環(huán)境要求也不高；紅外熱像電梯檢測技術(shù)不需要電梯元器件布列圖等詳細的電梯資料圖與具有很強的特種設(shè)備專業(yè)技能，就能夠較快速準確的判斷出現(xiàn)電梯故障的元器件或者電梯**回路，且可根據(jù)積累的電梯紅外故障診斷技術(shù)標準及時地診斷或預判出電梯隱患故障，因而能夠有效地避免電梯電氣元件的突然故障；紅外熱像電梯檢測技術(shù)應(yīng)用範圍廣，可廣泛應(yīng)用於電梯電氣係統(tǒng)中的任何電氣元件，且從生產(chǎn)、安裝、使用、維修及檢驗等各個環(huán)節(jié)中都可應(yīng)用；使用像素高的紅外熱像儀可同時對電梯電氣控製板大範圍的元器件進行掃描檢測，故障檢測、與的過程結(jié)為一體，能在較短時間內(nèi)電梯電氣故障區(qū)域和失效電氣元件。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動或自動完成充放電過程，真正實現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時間、延時時間，能夠手動或者自動控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控製方式充電時，根據(jù)設(shè)定值，自動充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時3秒報警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動作控製

本體球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動/自動控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動、自動或報警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點火。觸發(fā)點火信號可以立延時

在許多電磁仿真應(yīng)用中，導體厚度不是影響器件電性能的關(guān)鍵因素，並且去掉導體厚度還可以提高解決效率。今天小編就和大家聊聊HFSS二維薄片或麵上的的邊界設(shè)置應(yīng)用技巧。，我們來看兩個例子：貼片天線鋪銅厚度的影響二維薄片和三維實物的仿真結(jié)果對比如下圖：微帶濾波器鋪銅厚度的影響二維薄片和三維實物的仿真結(jié)果對比如下圖：由上麵兩個例子對比可知，並不是所有時候三維導體模型都能用二維薄麵來等效的。對於貼片天線，采用三維或二維導體無區(qū)彆，因為導體側(cè)邊效應(yīng)不影響器件性能。