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HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
長(zhǎng)期供應(yīng) 衝擊電流發(fā)生器 交流耐壓試驗(yàn)裝置 匝間耐壓測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
聯(lián)係人車(chē)高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。
德國(guó)“工業(yè)4.研發(fā)白皮書(shū)”及“工業(yè)4.實(shí)施戰(zhàn)略及參考架構(gòu)”都將無(wú)線技術(shù)作為工業(yè)4.網(wǎng)絡(luò)通信技術(shù)研究和中的重要組成部分,其中Wi-FNFzigbe2G/3G/4LORA等無(wú)線技術(shù)成為連接傳輸層的重要技術(shù)。每個(gè)層次的工業(yè)通訊方式略有差異。結(jié)合的五級(jí)層次架構(gòu),每層之間的通訊方式都不一樣,考慮到每個(gè)層次所賦予的職責(zé)和使命差異,工業(yè)通訊方式也存在差異。在ERP層和MES層,主要是以路由器、工業(yè)以太網(wǎng)和總線的方式互聯(lián),在目前的的網(wǎng)絡(luò)通訊上,冇有太多的變化。
衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波(full)或截?cái)啵╟hopped) 的閃電突波(L.I)
另外,重心法需要使用至少兩根譜線,而且受窗函數(shù)主瓣寬度限製,頻率重心法所能支持的頻率下限隻能達(dá)到頻率分辨率的三倍以上。由於頻率重心法冇有反饋過(guò)程,不依賴(lài)於信號(hào),模擬電路實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)單,理論上隻要采樣率和使用的數(shù)據(jù)點(diǎn)足夠,就能得到正確的結(jié)果。特彆地,因?yàn)橥讲蓸有枰布娐?,受限與成本與體積,大部分測(cè)量?jī)x器隻支持一到兩個(gè)PLL源,而頻率重心法無(wú)此限製,甚至可任意定義基波源(對(duì)應(yīng)於PLL源,用於確定基波)。應(yīng)用實(shí)例PA功率儀提供了三種諧波模式:常規(guī)諧波、諧波和IEC諧波。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征
本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作,手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程,真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。
充電控製功能
係統(tǒng)采用恒流充電。
根據(jù)試驗(yàn)要求,調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間,能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí),根據(jù)設(shè)定值,自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上,延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。
動(dòng)作控製
本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。
手動(dòng)/自動(dòng)控製。
2 觸發(fā)控製
係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)
CME-C1是京微雅格新近推出的高性能大容量“雲(yún)”係列顆產(chǎn)品,邏輯容量折合2萬(wàn)門(mén)級(jí)。CME-C1采用TSMnm先進(jìn)工藝,采用全新的6輸入查找表架構(gòu),創(chuàng)36x18的DSP單元,內(nèi)嵌大容量每塊18K位ram,高速串行接口可達(dá)6.5Gbps,通用差分I/O可達(dá)1.3Gbps,同時(shí)還內(nèi)置硬核PCIe支持5G速率GenDDR3/2控製器以及PHY讀寫(xiě)速率可達(dá)1333Mbps,各項(xiàng)指標(biāo)均達(dá)國(guó)內(nèi)水平。