HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
廠家供應(yīng) 雷電衝擊發(fā)生器 油浸式試驗(yàn)變壓器 便攜式交流耐壓測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

用網(wǎng)絡(luò)儀測(cè)試時(shí)，測(cè)試端口是標(biāo)準(zhǔn)50Ω同軸線纜，因此在連接被測(cè)電纜時(shí)要求使用轉(zhuǎn)接頭或夾具，而這些接頭和夾具的S參數(shù)未知，需要去除其影響，才能獲得被測(cè)線纜的實(shí)際參數(shù)。目前常用的方法是去嵌入或夾具移除法，這些方法要求設(shè)計(jì)的夾具和微帶校準(zhǔn)件，校準(zhǔn)後移除夾具的S參數(shù)。其難點(diǎn)在於夾具及其校準(zhǔn)件的製作，通常校準(zhǔn)件的參數(shù)是理論設(shè)計(jì)值，跟實(shí)際值有一定差距，並且校準(zhǔn)和得到的夾具自身S參數(shù)，可能造成實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)曲線的波動(dòng)，甚至錯(cuò)誤。

衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

實(shí)踐表明，諸如FLIRX6900sc的高性能的熱像儀比FLIRE40的經(jīng)濟(jì)型熱像儀的精度效果要好，我們?nèi)孕枰鲂┕ぷ鱽?lái)更好地解釋這一觀察結(jié)果。實(shí)驗(yàn)室測(cè)量值和±1?C或1%精度我們發(fā)現(xiàn)在觀察已知發(fā)射率和溫度的物體時(shí)，熱像儀實(shí)際產(chǎn)生的溫度測(cè)量值。此類物體一般指代為“黑體”。在引用已知發(fā)射率和溫度的物體的理論概念前，你可能聽(tīng)說(shuō)過(guò)這個(gè)術(shù)語(yǔ)。黑體的這一概念也用來(lái)指代一些實(shí)驗(yàn)室設(shè)備。.位於美國(guó)佛羅裡達(dá)州尼斯維爾的FLIR溫度記錄校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

無(wú)源晶振自身無(wú)法震蕩，在工作時(shí)需要搭配外圍電路。在一定條件下，石英晶片會(huì)產(chǎn)生壓電效應(yīng)：晶片兩端的電場(chǎng)與機(jī)械形變會(huì)互相轉(zhuǎn)化。當(dāng)外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率相等時(shí)，晶體產(chǎn)生的振動(dòng)和電場(chǎng)強(qiáng)度，這稱為壓電諧振，類似與LC回路的諧振。圖1石英晶體的電路符號(hào)、等效電路、電抗特性及外圍電路圖由於晶體為無(wú)源器件，其對(duì)外圍電路的參數(shù)較為敏感，尤其為負(fù)載電容。根據(jù)晶體的手冊(cè)，我們得知測(cè)試電路中有電容，此電容對(duì)晶體是否起振大有關(guān)聯(lián)：CCg稱作匹配電容，是接在晶振的兩個(gè)腳上的對(duì)地電容，其作用就是調(diào)節(jié)負(fù)載電容使其與晶振的要求相一致，需要注意的是CCg串聯(lián)後的總電容值才是有效的負(fù)載電容部分。