HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
使用方法 雷衝擊電壓發(fā)生器 試驗變壓器 匝間絕緣電阻測試儀產(chǎn)品簡介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗，檢驗絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗中。

有必要采用一些其他方法來提高傳導(dǎo)EMI的性能。本文主要討論的是引入輸入濾波器來濾除噪聲，或增加罩來鎖住噪聲。EMI濾波器示意簡圖是一個簡化的EMI濾波器，包括共模（CM）濾波器和差模（DM）濾波器。通常，DM濾波器主要用於濾除小於30MHz的噪聲（DM噪聲），CM濾波器主要用於濾除30MHz至100MHz的噪聲（CM噪聲）。但其實這兩個濾波器對於整個頻段的EMI噪聲都有一定的作用。顯示了一個不帶濾波器的輸入引線噪聲，包括正向噪聲和負向噪聲，並標(biāo)注了這些噪聲的峰值水平和平均水平。

衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截斷（chopped） 的閃電突波（L.I）

平麵低通濾波器簡介隨著現(xiàn)在微波鏈路越來越高頻化，小型化，直接在鏈路中集成低通的現(xiàn)象越來越普遍。同時很多芯片化的低通也大都是在高介電陶瓷片上實現(xiàn)的微帶濾波器。陶瓷片型的芯片電容，電感，均衡器都需要用到平麵低通的設(shè)計概念。常見的低通濾波器在ADS中的模型及結(jié)構(gòu)形式見。常見的平麵結(jié)構(gòu)低通濾波器三種結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點對比見表1，通常對要求比較高的設(shè)計時可綜合三種結(jié)構(gòu)的優(yōu)缺點進行折中設(shè)計。表1三種結(jié)構(gòu)優(yōu)缺點對比2.平麵低通濾波器設(shè)計的理論基礎(chǔ)本次總結(jié)的理論基礎(chǔ)來源，核心理論為的高低阻抗線等效電路。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動或自動完成充放電過程，真正實現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時間、延時時間，能夠手動或者自動控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控製方式充電時，根據(jù)設(shè)定值，自動充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時3秒報警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動作控製

本體球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動/自動控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動、自動或報警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點火。觸發(fā)點火信號可以立延時

微型傳感器不僅僅指傳感器的體積小、質(zhì)量輕。就單一的傳感器而言，微傳感器是指尺寸微小的傳感器，如敏感元件的尺寸從微米級到毫米級、甚至達到納米級，主要采用精密加工、微電子以及微機電係統(tǒng)技術(shù)，實現(xiàn)傳感器尺寸的縮小;就集成的傳感器而言，微傳感器是指將微小的敏感元件、信號處理器、數(shù)據(jù)處理裝置封裝在一塊芯片上而形成的集成傳感器;就傳感器係統(tǒng)而言，微傳感器是指傳感係統(tǒng)中不但包括微傳感器，還包括微執(zhí)行器，可以立工作，甚至由多個微傳感器組成傳感器網(wǎng)絡(luò)，或者可實現(xiàn)異地聯(lián)網(wǎng)。