HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
30年經(jīng)驗(yàn) 衝擊電壓測(cè)試係統(tǒng) 發(fā)電機(jī)交流耐壓試驗(yàn)裝置 匝間絕緣電阻測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

無校驗(yàn)位，8位數(shù)據(jù)位，串口時(shí)序圖如所示為STM32串口外設(shè)檢測(cè)到起始位的條件，當(dāng)檢測(cè)到下降沿（3個(gè)高電平+1個(gè)低電平）並且采樣序列1和采樣序列2均為0時(shí)，STM32檢測(cè)到一個(gè)起始位。每個(gè)位采樣16次，采樣點(diǎn)的間隔時(shí)間為tbit/16，tbit為每個(gè)位的時(shí)間，通信波特率為115.2kbps，則tbit=1/115.2k=8.68us，則采樣點(diǎn)的間隔時(shí)間為8.68us/16=0.5425us。STM32串口外設(shè)檢測(cè)到起始位的條件下麵以RSM485PCHT的門限電平為例進(jìn)行說明，當(dāng)AB差分電壓處?kù)丁?00mV之內(nèi)時(shí)，模塊RXD引腳輸出狀態(tài)不確定。

衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

本係統(tǒng)采用基於Raman後向散射的分布式光纖溫度傳感原理，采用雙通道雙波長(zhǎng)比較方法，即分彆采集Anti-Stokes光和Stokes光，利用兩者強(qiáng)度的比值解調(diào)溫度信號(hào)。由於Anti-Stokes光對(duì)溫度更靈敏，因此Anti-Stokes光作為信號(hào)通道，Stokes光作為比較通道，則兩者之間的強(qiáng)度比為式中，λs，λas分彆為Stokes和Anti-Stokes光波長(zhǎng);h為普朗克常數(shù);c為真空中的光速;k是玻耳茲曼常量;△γ為偏移波數(shù)：T為溫度。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

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