HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
定製定做 雷衝擊電壓發(fā)生器 工頻試驗(yàn)變壓器 CVT諧振耐壓裝置產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

電池充放電過(guò)程中，電池容量越大，對(duì)應(yīng)電池開路電壓越高，電池內(nèi)阻越低；反之，當(dāng)容量下降，電池開路電壓隨之下降，內(nèi)阻隨之上升。電池容量、開路電壓與電池內(nèi)阻之間的關(guān)係可有下圖表示：測(cè)試實(shí)例IT6431（±15V,±1A,15W）的simulator功能，主要適用於模擬電池的電壓和容量，用IT6431來(lái)代替實(shí)體的電池，提供一個(gè)電壓信號(hào)，同時(shí)也需要可以驅(qū)動(dòng)開機(jī)。這樣檢測(cè)到了電壓用適配器才能給充電。

衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

信號(hào)發(fā)生器生成波形的方式可以大致分為兩種DDS模式和Arb模式。兩種模式都具有優(yōu)缺點(diǎn)。DDS模式具有低成本、低功耗、高分辨率和頻率轉(zhuǎn)換快等優(yōu)點(diǎn)，適合輸出調(diào)頻、調(diào)相、掃頻信號(hào)。但是DDS可能會(huì)丟失一些數(shù)據(jù)點(diǎn)。另外一種方式就是Arb模式，可以理解為真任意波形發(fā)生器的意思。使用Arb模式可以編輯真實(shí)的複雜的任意波形信號(hào)。無(wú)論是上述兩種方式的哪一種或是一些新推出的其他方式的波形生成方法，采樣（時(shí)鐘）速率和分辨率都是非常關(guān)鍵的參數(shù)。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

目前常用的離子化方法（EICP、ESMALDI等）在實(shí)驗(yàn)中（嚴(yán)格來(lái)說(shuō)僅在一定濃度範(fàn)圍內(nèi)——術(shù)語(yǔ)是動(dòng)態(tài)範(fàn)圍，dynamicrange）都至少滿足樣品量與產(chǎn)生離子量的正相關(guān)，一般情況下也可以進(jìn)一步近似成線性相關(guān)。傳輸離子時(shí)，簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)可以認(rèn)為傳輸效率與被傳輸離子的量無(wú)關(guān)；（嚴(yán)格地說(shuō)，被傳輸?shù)碾x子太多時(shí)，相同電荷的互相排斥會(huì)造成離子束的“體積”變大，導(dǎo)致傳輸效率下降。這種影響在空間有限的離子阱中表現(xiàn)得更加明顯，因此在離子阱質(zhì)譜中一個(gè)重要的技術(shù)就是適當(dāng)控製進(jìn)入儀器的離子數(shù)量，使其既不太少也不太多。