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HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
現(xiàn)貨供應(yīng) 雷電衝擊電壓發(fā)生器 全自動(dòng)試驗(yàn)變壓器 交直流分壓器產(chǎn)品簡(jiǎn)介:
聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn),檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。
PCB設(shè)計(jì)基頻電路時(shí),需要大量的信號(hào)處理工程知識(shí)。發(fā)射器的射頻電路能將已處理過(guò)的基頻信號(hào)轉(zhuǎn)換、升頻至的頻道中,並將此信號(hào)注入至傳輸媒體中。相反的,接收器的射頻電路能自傳輸媒體中取得信號(hào),並轉(zhuǎn)換、降頻成基頻。發(fā)射器有兩個(gè)主要的PCB設(shè)計(jì)目標(biāo):是它們必須儘可能在消耗少功率的情況下,發(fā)射特定的功率。是它們不能乾擾相鄰頻道內(nèi)的收發(fā)機(jī)之正常運(yùn)作。就接收器而言,有三個(gè)主要的PCB設(shè)計(jì)目標(biāo):,它們必須準(zhǔn)確地還原小信號(hào);,它們必須能去除期望頻道以外的乾擾信號(hào);後一點(diǎn)與發(fā)射器一樣,它們消耗的功率必須很小。
衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波(full)或截?cái)啵╟hopped) 的閃電突波(L.I)
網(wǎng)絡(luò)覆蓋質(zhì)量嚴(yán)重影響功耗當(dāng)覆蓋較差時(shí),通過(guò)多次重發(fā)提高通信成功率,但會(huì)延長(zhǎng)發(fā)送時(shí)間,從而引起功耗增加,儘量避免長(zhǎng)期在覆蓋等級(jí)2狀態(tài)下時(shí)工作。根據(jù)PSM特性優(yōu)化網(wǎng)絡(luò)通信協(xié)議當(dāng)覆蓋較差時(shí)會(huì)出現(xiàn)多次重發(fā),如果一直保持連接狀態(tài),如果有多組上下行交互數(shù)據(jù),則相當(dāng)一部分功耗浪費(fèi)在等待,此時(shí)可以進(jìn)入Idle狀態(tài)等待,以降低功耗。遠(yuǎn)程閥控PSMeDRX由於不能實(shí)現(xiàn)網(wǎng)絡(luò)喚醒,暫時(shí)不能實(shí)現(xiàn)實(shí)時(shí)下行,eDRX的靜態(tài)功耗較高,PSM頻繁重連耗電也較高;必須由終端觸發(fā)上行後才能間接實(shí)現(xiàn)下行,充值時(shí)要求用戶按下按鍵。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征
本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作,手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程,真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。
充電控製功能
係統(tǒng)采用恒流充電。
根據(jù)試驗(yàn)要求,調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間,能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí),根據(jù)設(shè)定值,自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上,延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。
動(dòng)作控製
本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值,也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。
可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。
手動(dòng)/自動(dòng)控製。
2 觸發(fā)控製
係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)
LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞,關(guān)於這個(gè)問(wèn)題,也見(jiàn)到過(guò)有人在行業(yè)論壇發(fā)過(guò)貼討論過(guò)。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方麵討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)製器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上麵,芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的電流來(lái)自於驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗,簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益,實(shí)際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容,v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓,所以為了降低芯片的功耗,必須想辦法降低v和f.如果v和f不能改變,那麼請(qǐng)想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件,注意不要引入額外的功耗。