HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
規(guī)格齊全 衝擊電壓試驗(yàn)裝置 超低頻發(fā)生器 便攜式交流耐壓測試儀產(chǎn)品簡介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

汽車供電係統(tǒng)輸出複雜，大電流馬達(dá)、電磁閥等元件導(dǎo)致供電電壓輸出經(jīng)常發(fā)生波動，大電壓脈衝或跌落現(xiàn)象頻繁發(fā)生，對車內(nèi)電子產(chǎn)品能否穩(wěn)定工作造成挑戰(zhàn)。為方便汽車電子行業(yè)相關(guān)產(chǎn)品的測試，業(yè)界有一些通用的標(biāo)準(zhǔn)，汽車電子產(chǎn)品的生產(chǎn)製造企業(yè)使用這些標(biāo)準(zhǔn)中所規(guī)定的測試波形進(jìn)行產(chǎn)品測試。目前，針對於汽車電子，艾德克斯提供的是基於ISO1675-2（道路車輛電氣電子設(shè)備的環(huán)境條件和試驗(yàn)第2部分：電氣負(fù)荷）和DIN4839（汽車中的電磁兼容性，12V和24V輔助電路中供電線的導(dǎo)線擾動量）標(biāo)準(zhǔn)，針對汽車在複雜工況下以及汽車電源異常時(shí)，車載電子設(shè)備穩(wěn)定性的測試解決方案，可測試對象包括電動車窗、雨刮器、車載音響設(shè)備等多汽車電子電器。

衝擊測試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

濾波器在通信、**、測試測量等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，尤其在近幾年的在微波及毫米波電路中有著廣泛的應(yīng)用。在低頻段的應(yīng)用中，集總參數(shù)濾波器有著良好的表現(xiàn)，但是隨著頻率升高到微波頻段以上，集總參數(shù)元件(電容、電感)的Q值急劇下降，造成濾波器的插入損耗太大，這時(shí)就必須用分布參數(shù)元件來代替集總參數(shù)元件，但是分布參數(shù)元件濾波器的尺寸一般較大，因此有必要減小微波毫米波電路濾波器的尺寸。年香港城市大學(xué)薛泉教授提出了一種緊湊的微帶諧振器(CMRC)，此後螺旋緊湊微帶諧振器(SCMRC)以及直線緊湊微帶諧振器(BCMRC)又相繼被提出。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動或自動完成充放電過程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動或者自動控製電壓發(fā)生器的充電過程。采用自動控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動作控製

本體球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動/自動控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動、自動或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號可以立延時(shí)

由於感應(yīng)，便會吸引電子，並開啟溝道。如果浮柵中有電子的注時(shí)，即加大的管子的閾值電壓，溝道處於關(guān)閉狀態(tài)。這樣就達(dá)成了開關(guān)功能。如所示，這是EPROM的寫入過程，在漏極加高壓，電子從源極流向漏極溝道充分開啟。在高壓的作用下，電子的拉力加強(qiáng)，能量使電子的溫度極度上升，變?yōu)闊犭娮?hotelectron)。這種電子幾乎不受原子的振動作用引起的散射，在受控製柵的施加的高壓時(shí)，熱電子使能躍過SiO2的勢壘，注入到浮柵中。