HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
生產(chǎn)廠家 雷衝擊電壓發(fā)生器 帶時(shí)間直流高壓發(fā)生器 交直流耐壓測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

本篇著重介紹這些傳感器係統(tǒng)的工作原理和通過(guò)它們可以測(cè)量什麼。大部分可穿戴設(shè)備采用光電容積脈搏波描記法(PPG)來(lái)測(cè)量心率及其他生物計(jì)量指標(biāo)。PPG是一種將光照進(jìn)皮膚並測(cè)量因血液流動(dòng)而產(chǎn)生的光散射的方法。該方法非常簡(jiǎn)單，光學(xué)心率傳感器基於以下工作原理：當(dāng)血流動(dòng)力發(fā)生變化時(shí)，血脈搏率(心率)或血容積(心輸出量)發(fā)生變化時(shí)，進(jìn)入的光會(huì)發(fā)生可預(yù)見(jiàn)的散射。下介紹了光學(xué)心率傳感器的主要元件和基本工作原理。

衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

檢查稱重傳感電橋的各焊點(diǎn)是否有虛焊、開(kāi)焊現(xiàn)象，造成稱重傳感電橋不工作。檢查稱重傳感器本身，看上麵是否有異物或粘附臟物，阻礙了傳感器產(chǎn)生彈性形變，致使有載荷作用加在傳感器上時(shí)，彈性體不能正常產(chǎn)生彈性形變，使電阻應(yīng)變片的電阻不發(fā)生變化，導(dǎo)致稱重傳感電橋冇有稱重信號(hào)輸出。無(wú)稱重載荷作用在電子計(jì)價(jià)秤上時(shí)，稱重的顯示值不為零，而且顯示的數(shù)值不穩(wěn)定，數(shù)值不停的在變化。此故障俗稱顯示有零漂、不歸零和跳字，產(chǎn)生此故障的原因是：稱重傳感電橋的某一橋臂有虛接、開(kāi)焊現(xiàn)象，或者是某焊點(diǎn)有“接地”現(xiàn)象；檢查電源電壓是否穩(wěn)定，如果電源電壓的穩(wěn)定性不好，也容易跳字。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

工程師在設(shè)計(jì)一款產(chǎn)品時(shí)用了一顆9A的MOS管，量產(chǎn)後發(fā)現(xiàn)壞品率偏高，經(jīng)重新計(jì)算後，換成了一顆5A的MOS管，問(wèn)題解決。為什麼用電流裕量更小的器件，卻能提高可靠性呢？工程師在設(shè)計(jì)的過(guò)程中非常注意元器件性能上的裕量，卻很容易忽視熱耗散設(shè)計(jì)，案例我們放到後說(shuō)，為了幫助理解，我們先引入一個(gè)概念：其中Tc為芯片的外殼溫度，PD為芯片在該環(huán)境中的耗散功率，Tj表示芯片的結(jié)點(diǎn)溫度，目前大多數(shù)芯片的結(jié)點(diǎn)溫度為150℃，Rjc表示芯片內(nèi)部至外殼的熱阻，Rcs表示外殼至散熱片的熱阻，Rsa表示散熱片到空氣的熱阻，一般功率器件用Rjc進(jìn)行計(jì)算即可。