HNCJ係列雷電衝擊電壓發(fā)生裝置
5年保修 雷衝擊電壓發(fā)生器 超低頻發(fā)生器 交直流耐壓測(cè)試儀產(chǎn)品簡(jiǎn)介：

聯(lián)係人車高平13608980122/15689901059衝擊電壓發(fā)生器主要用於電力設(shè)備等試品進(jìn)行雷電衝擊電壓全波、雷電衝擊電壓截波和操作衝擊電壓波的衝擊電壓試驗(yàn)，檢驗(yàn)絕緣性能。衝擊電壓發(fā)生器一種模仿雷電及操作過(guò)電壓等衝擊電壓的電源裝置。主要用於絕緣衝擊耐壓及介質(zhì)衝擊擊穿、放電等試驗(yàn)中。

變電站是電力係統(tǒng)中變換電壓、接受和分配電能的電力設(shè)施。變電站運(yùn)行中，傳統(tǒng)運(yùn)行巡視獲取信息95%以上來(lái)源於目視觀察。變電站目前應(yīng)用的“四遙”隻可以實(shí)現(xiàn)變電站內(nèi)的監(jiān)控，不能目標(biāo)設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)，這就為變電站的**運(yùn)行留下隱患。裝上“熱眼”實(shí)現(xiàn)兼容“變電站智能巡檢機(jī)器人巡檢的核心部熱件是紅外成像和可見(jiàn)光相機(jī)，兩者安裝在機(jī)器人頂部，就如同裝上了一隻敏感的眼睛?！滨r開(kāi)義如此形容。FLIRSystems的各類紅外熱像儀均能記錄熱輻射。

衝擊測(cè)試係統(tǒng)係應(yīng)用於諸如電力變壓器、比成器、高壓開(kāi)關(guān)及電力電纜等高壓器材的衝擊電壓試驗(yàn)。此種測(cè)試係依據(jù)相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn)執(zhí)行全波（full）或截?cái)啵╟hopped） 的閃電突波（L.I）

當(dāng)時(shí)在德國(guó)，由於使用靜止汞弧變流器而造成了電壓、電流波形的畸變。1945年J.C.Read發(fā)表的有關(guān)變流器諧波的論文是早期有關(guān)諧波研究的經(jīng)典論文。到了50年代和60年代，由於高壓直流輸電技術(shù)的發(fā)展，發(fā)表了有關(guān)變流器引起電力係統(tǒng)諧波問(wèn)題的大量論文。70年代以來(lái)，由於電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，電力電子裝置在電力係統(tǒng)、工業(yè)、交通及家庭中的應(yīng)用日益廣泛，諧波所造成的危害也日趨嚴(yán)重。世界各國(guó)都對(duì)諧波問(wèn)題予以充分和關(guān)注。
HNCJ-V 雷電衝擊電壓發(fā)生裝置產(chǎn)品特征

本部分主要是控製衝擊電壓發(fā)生器的操作，手動(dòng)或自動(dòng)完成充放電過(guò)程，真正實(shí)現(xiàn)智慧化操作。

充電控製功能

係統(tǒng)采用恒流充電。

根據(jù)試驗(yàn)要求，調(diào)節(jié)充電電壓、充電時(shí)間、延時(shí)時(shí)間，能夠手動(dòng)或者自動(dòng)控製電壓發(fā)生器的充電過(guò)程。采用自動(dòng)控製方式充電時(shí)，根據(jù)設(shè)定值，自動(dòng)充電並穩(wěn)定在充電電壓值上，延時(shí)3秒報(bào)警觸發(fā)。充電電壓的重複性和穩(wěn)定度很好。

動(dòng)作控製

本體球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。本體球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

截波球距大小能夠自動(dòng)跟蹤設(shè)定充電電壓值，也可手動(dòng)控製調(diào)節(jié)球距大小。截波球距值在觸摸屏或組態(tài)軟件中有顯示。

可控製本體自動(dòng)接地、充電極性切換、充電次數(shù)設(shè)定等功能。

手動(dòng)/自動(dòng)控製。

2 觸發(fā)控製

係統(tǒng)能夠手動(dòng)、自動(dòng)或報(bào)警觸發(fā)衝擊電壓發(fā)生器點(diǎn)火。觸發(fā)點(diǎn)火信號(hào)可以立延時(shí)

其典型的信噪比為55dB，而8位示波器一般隻有35～40dB。是將一個(gè)多諧波信號(hào)分彆輸入到8位和12位示波器，轉(zhuǎn)化到頻域觀察的圖形。兩者頻域的垂直刻度和基準(zhǔn)都一樣?？梢钥闯觯?2位示波器的頻域噪底比8位示波器低大約lOdB。我們來(lái)看一個(gè)實(shí)際的測(cè)試案例：需要對(duì)某開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品中的功率MOS管進(jìn)行。其中有一個(gè)測(cè)試項(xiàng)是MOS管導(dǎo)通損耗。分彆用電壓和電流測(cè)量漏源電壓Vds與漏極電流Ids，在示波器上將兩個(gè)波形相乘得到功率波形，導(dǎo)通期間的功率就是導(dǎo)通損耗。